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전현옥 (서울대학교) 유성원 (서울대학교) 이현슬 (서울대학교) 서영수 (서울대학교) 전상빈 (서울대학교) 고형우 (서울대학교) 고결 (서울대학교) 신형철 (서울대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2015년도 대한전자공학회 하계종합학술대회
발행연도
2015.6
수록면
8 - 11 (4page)

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The characteristics of oxide slow trap was extracted from gate-induced drain leakage (GIDL) random telegraph noise (RTN) measurement. The ratio of trap-assisted tunneling (TAT) GIDL current before and after carrier capture into the slow trap was derived with consideration to the type of slow trap. And, the distance between fast and slow trap was extracted and compared in case of acceptor-like and donor-like trap based on the measurement and equations derived from the accurate field enhancement factor. Finally, the relative positions of the two trap can be determined at the gate-to-drain overlap region with consideration to the type of slow trap.

목차

Abstract
I. 서론
II. 본론
Ⅲ. 결론
참고문헌

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