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저자정보
Jisu Kim (연세대학교) Jee-hwan Song (연세대학교) Kyung Ho Ryu (연세대학교) Seung H. Kang (QUALCOMM Incorporated) Seong-Ook Jung (연세대학교)
저널정보
대한전자공학회 ITC-CSCC :International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications ITC-CSCC : 2009
발행연도
2009.7
수록면
785 - 788 (4page)

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Magnetic random access memory (MRAM) offers a compelling combination of attributes as a nonvolatile memory in performance, power, endurance, and integratability into logic devices. As the process technology continues to scale down to the nano-scale regime, however, the design of MRAM circuits has become challenging mainly due to the reduction in supply voltage and the increase in process variation. In this paper, we compare and analyze the representative MRAM sensing circuits based on a 65nm technology. We then suggest the most effective MRAM sensing circuit among representative cases considering sensing margin, delay, power, and area.
#MRAM #Sensing circuit #Sensing margin #Technology scaling

목차

Abstract
1. Introduction
2. Magnetoresistance ratio effects on sensing margin
3. Representative types of MRAM sensing circuit
4. Features of sensing circuits
5. Simulation results
6. Conclusion
References

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