지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2009.10
- 수록면
- 223 - 224 (2page)
이용수
초록· 키워드
오류제보하기
본 연구에서는 Cl₂/Ar 기반의 플라즈마 식각에 N₂가스를 첨가하여 ZnO 박막을 식각 하였을 때 관찰된 ZnO 박막의 식각 특성에 관하여 연구 하였다. ZnO 박막 식각 실험은 RF 800 W, bias power 400 W, 공정 압력 15 mTorr를 기준으로 하였으며 가스 혼합 비율로는 최적의 식각률을 보여주는 Cl₂/Ar=8:2 비율에서 실행하였다. 연구의 목적인 첨가 가스 N₂를 Cl₂ (80%)/Ar (20)%에 5 sccm 씩 첨가하여 20 sccm 까지 증가 시켜 실험 하였다. N₂ 가스가 15 sccm 첨가 되었을 때 식각률 95.9 ㎚/min로 기존 Cl₂/Ar 기반의 플라즈마 식각보다 높은 식각률을 보여 ... 전체 초록 보기
목차
등록된 정보가 없습니다.
참고문헌 (0)
참고문헌 신청함께 읽어보면 좋을 논문
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
-
ZnO 박막의 청색 $Cl_2/Ar$플라즈마 식각
한국재료학회 학술발표대회
2001 .01
-
Cl₂/BCl₃/Ar 플라즈마에 의해 식각된 ZnO 박막 표면의 연구
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2009 .05
-
고밀도 플라즈마를 이용한 ZnO 박막의 식각 특성 분석
대한전기학회 학술대회 논문집
2006 .07
-
CH₄/Ar 유도결합플라즈마를 이용한 ZnO 박막의 식각 특성에 관한 연구
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2009 .05
-
Cl2 / Ar 가스 플라즈마에 O2 첨가에 따른 Pt 식각 특성 연구 ( The Study on the Etching Characteristics of Pt Thin Film by O2 Addition to Cl2 / Ar Gas Plasma )
전자공학회논문지-D
1999 .05
-
Cl2 / Ar 유도 결합 플라즈마에서 Pt 박막 식각시 N2 가스 첨가 효과 ( The Effect of Additive N2 Gas In Pt Film Etching Using Inductively Coupled Cl2 / Ar Plasmas )
전자공학회논문지-SD
2000 .07
-
Cl2/BCl3/Ar 플라즈마에서 반응성 이온들에 의해 식각된 ZnO 박막 표면 연구
전기전자재료학회논문지
2010 .01
-
Cl2/Ar 유도 결합 플라즈마에 의한 gold 박막의 식각특성
전기전자재료학회논문지
2002 .01
-
유도결합형 BCl3/Ar 플라즈마를 이용한 Al2O3 박막의 식각 특성
전기전자재료학회논문지
2011 .01
-
Ar/Cl2 혼합가스를 이용한 Ba_2Ti_9O_20(BTO) 박막의 유도결합 플라즈마 식각
전기전자재료학회논문지
2011 .01
-
Ar/Cl₂ 중성빔 식각에 의한 GaAs의 식각손상의 감소에 대한 고찰
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2005 .05
-
CF₄/Cl₂/Ar 고밀도 플라즈마를 이용한 PZT 박막의 식각 특성에 관한 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
2001 .07
-
SF_6/Ar 유도결합플라즈마를 이용한 ZnO 박막의 식각 특성에 관한 연구
전기전자재료학회논문지
2011 .01
-
고밀도 플라즈마 식각에 의한 CoTb과 CoZrNb 박막의 식각 특성
화학공학
2005 .01
-
Etching characteristics of BST thin films using BCl₃/Cl₂/Ar plasma
대한전기학회 학술대회 논문집
2003 .10
-
Dry Etching Characteristics of ZnO Thin Films for the Optoelectronic Device by Using Inductively Coupled Plasma
Transactions on Electrical and Electronic Materials
2012 .01
-
He/BCl₃/Cl₂유도결합 플라즈마를 이용한 TiN 박막의 식각 특성
전기전자재료학회논문지
2011 .01
-
BCl₃/Ar 유도 결합 플라즈마를 이용한 ZnO 박막의 식각 특성
전기학회논문지
2007 .03
-
Ar/CF4/Cl2 플라즈마에 의한 CeO2 박막의 식각 특성 연구
전기전자재료학회논문지
2002 .01
-
Damage on the Surface of Zinc Oxide Thin Films Etched in Cl-based Gas Chemistry
Transactions on Electrical and Electronic Materials
2011 .01
이 논문의 저자 정보
이 논문과 함께 이용한 논문
Cl2 / Ar 유도 결합 플라즈마에서 Pt 박막 식각시 N2 가스 첨가 효과 ( The Effect of Additive N2 Gas In Pt Film Etching Using Inductively Coupled Cl2 / Ar Plasmas )
유재흥
,
김남훈
,
장의구
외 1명
전자공학회논문지-SD
2000
.07
Dry Etching of Cu With Cl2 Plasma and PEt3
Sung Eon Pa
,
k
,
Ki Bum Kim
대한전자공학회 학술대회
1996
.01
Al-Cu막의 플라즈마 식각후 부식 억제에 관한 연구
김환준
,
김창일
,
권광호
외 3명
대한전기학회 학술대회 논문집
1997
.07
Al ( Cu 1% ) 플라즈마 식각후 fluorine 처리에 의한 passivation 막 형성 ( The formation of the passivation layer by the fluorine treatment after Al ( Cu 1% ) plasma etching )
김창일
,
권광호
,
김상기
외 4명
전자공학회논문지-D
1998
.01
AlCu 플라즈마 식각후 Al 결정입계에서 Al 부식현상 ( Al corrosion phenomena on the Al grain boundary after AlCu plasma etching )
김창일
,
권광호
,
윤선진
외 3명
전자공학회논문지-A
1996
.12
최근 본 자료
댓글(0)
0
UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2012-581-004007317