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학술대회자료
저자정보
Jin-Sa Kim (조선이공대학) Cheol-Gi Shin (부천대학) Choon-Nam Cho (광운대학교)
저널정보
대한전자공학회 ICEIC : International Conference on Electronics, Informations and Communications ICEIC : 2008
발행연도
2008.6
수록면
977 - 980 (4page)

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The (Sr<SUB>0.7</SUB>Bi<SUB>2.3</SUB>)Ta₂O? thin films are deposited on Pt-coated electrode(Pt/TiO₂/SiO₂/Si) using RF magnetron sputtering method. The ferroelectric properties of SBT capacitors with annealing temperatures were studied. Through the scanning electron microscopy (SEM), it could be observed that crystallization of the SBT thin film started around 650 ℃ and complete crystallization was accomplished around 750 ℃ and grains grew from a small spheric form to rod-like. In the SBT thin film subsequently annealed in the oxygen atmosphere at 750 ℃, the most excellent characteristics were shown, and the remnant polarization (2P<SUB>r</SUB>) value and the coercive electric field (E<SUB>c</SUB>) were respectively about 12.40[μC/ ㎠] and 30[㎸/㎝]. Also, the excellent fatigue characteristic that it was little aged even after 10¹? cycles of switchings was shown. For the leakage current density and the dielectric constant of the SBT capacitor depending upon various annealing atmospheres, capacitor annealed in the oxygen atmosphere showed the most excellent characteristic, and they were respectively about 2.13 × 10?? [A/ ㎠] and 340.

목차

Abstract
1. INTRODUCTION
2. EXPERIMENTAL
3. RESULTS and DISCUSSIONS
4. Conclusions
References

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2012-569-004333605