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본 연구에서는 IZO를 활성층으로 하고 HfSiO<SUB>x</SUB>를 절연층으로 한 TFT에 대하여 그 성능을 측정하였다. HfSiO<SUB>x</SUB>는 HfO₂ target과 Si target을 co-sputtering 하여 증착하였으며 RF power를 달리 하여 네 가지의 HfSiO<SUB>x</SUB> 박막을 제작하였다. 공정의 간소화를 위해 게이트 전극을 제외한 모든 층들은 RF-magnetron sputtering system과 shadow mask만을 이용하여 증착하였으며 공정의 간소화를 위해 어떠한 열처리도 하지 않았다. 네 가지 HfSiO<SUB>x</SUB> 박막의 구조적 변화를 X-ray diffraction(XRD), atomic force microscopy(AFM)을 통해 분석하였고, 그 전기적 특성을 확인하였다. 박막 내 HfO₂와 Si의 조성비에 따라 그 특성이 현저히 차이가 남을 확인하였다. HfO₂(100W)-Si(100W)의 조건으로 증착한 HfSiO<SUB>x</SUB> 박막을 절연층으로 한 소자의 특성이 전류 점멸비 5.89E+05, 이동도 2.0[cm2/V.s], 문턱전압 -0.5[V], RMS 0.263[nm]로 가장 좋은 결과로 나타났다. 따라서 HfSiO<SUB>x</SUB> 박막 내의 적절한 HfO₂와 Si의 조성비가 계면의 질을 향상시킴은 물론, HfO₂자체의 trap이나 defect를 효과적으로 줄여 줌으로써 소자의 성능 향상에 중요한 요소라 판단된다.
목차
요약
Abstract
I. 서론
II. 실험방법
III. 결과 및 토의
IV. 결론
참고문헌
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