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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2013.4
- 수록면
- 11 - 17 (7page)
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Silicon nitride(SiNx:H) deposited by radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition(RF-PECVD) is commonly used for anti-reflection coating and passivation in crystalline silicon solar cell fabrication. In this paper, characteristics of the deposited silicon nitride was studied with change of working pressure, deposition temperature, gasratio of NH₃ and SiH₄, and RF power during deposition. The deposition rate, refractive index and effective life time were analyzed. The(100)p-type silicon wafers with one-side polished, 660-690μm, and resistivity 1-10 Ω·㎝ were used. As a result, when the working pressure increased, the deposition rate of SiNx was increased while the effective life time for the SiNx-deposited wafer was decreased. The result regarding deposition temperature, gas ratioand RF power changes would be explained in detail below. In this paper, the optimized condition in silicon nitride deposition for silicon solar cell was obtained as 1.0 Torr for the working pressure, 400°C for deposition temperature, 500 W for RF power and 0.88 for NH₃/SiH₄ gasratio. The silicon nitride layer deposited in this condition showed the effective life time of>1400μs and the surface recombination rate of 25cm/s. The crystalline silicon solar cell fabricated with this SiNx coating showed 18.1% conversion efficiency.
목차
Abstract
1. 서론
2. 실험장치 및 방법
3. 실험결과 및 고찰
4. 결론
Reference
참고문헌 (10)
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1. [학술지(정기간행물)] - L. Cai / 1998 / Investigation of the properties of plasma- enhanced chemical vapor deposited silicon nitride and its effect on silicon surface passivation / J. Appl. Phys 83 (11)
2. [학술지(정기간행물)] - H.F.W. Dekkers / 2006 / Requirements of PECVD SiNx:H layers for bulk passivation of mc-Si / Sol. Energy Mater. Sol. Cells 90 : 3244 ~ 3250
3. [학술지(정기간행물)] - A. Cuevas / 2004 / Measuring and interpreting the lifetime of silicon wafers / Solar Energy 76 : 255 ~ 262
4. [학술대회논문] - W. Soppe / 2005 / Bulk and Surface Passivation of Silicon Solar Cells Accomplished by Silicon Nitride Deposited on Industrial Scale by Microwave PECVD / Progress in photovoltaics : research and applications : 551 ~ 569
5. [학술지(정기간행물)] - J. Schmidt / 2001 / Highest-quality surface passivation of low-resistivity p-type silicon using stoichiometric PECVD silicon nitride / Sol. Energy Mater. Sol. Cells 65 : 585 ~ 591
2. [학술지(정기간행물)] - H.F.W. Dekkers / 2006 / Requirements of PECVD SiNx:H layers for bulk passivation of mc-Si / Sol. Energy Mater. Sol. Cells 90 : 3244 ~ 3250
3. [학술지(정기간행물)] - A. Cuevas / 2004 / Measuring and interpreting the lifetime of silicon wafers / Solar Energy 76 : 255 ~ 262
4. [학술대회논문] - W. Soppe / 2005 / Bulk and Surface Passivation of Silicon Solar Cells Accomplished by Silicon Nitride Deposited on Industrial Scale by Microwave PECVD / Progress in photovoltaics : research and applications : 551 ~ 569
5. [학술지(정기간행물)] - J. Schmidt / 2001 / Highest-quality surface passivation of low-resistivity p-type silicon using stoichiometric PECVD silicon nitride / Sol. Energy Mater. Sol. Cells 65 : 585 ~ 591
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