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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2012.7
- 수록면
- 1,463 - 1,469 (7page)
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본 연구에서는 문턱전압이하 영역에서 이중게이트 MOSFET에서 스켈링 이론이 단채널효과에 미치는 영향을 관찰하였다. 기존 MOSFET의 경우 출력특성을 일정하게 유지하기 위하여 스켈링 이론을 적용하여 전류 및 스위칭 주파수를 해석하였다. 이중게이트 MOSFET에서 단채널효과에 대한 스켈링 이론의 적용 결과를 분석하기 위하여 문턱전압, 드레인유기장벽감소 및 문턱전압이하 스윙 등을 스켈링 인자에 따라 관찰하였다. 이를 위하여 이미 검증된 포아송방정식의 해석학적 전위분포를 이용하였다. 분석결과 단채널효과 중 문턱전압이 스켈링 인자에 가장 큰 영향을 받는다는 것을 관찰하였다. 특히 채널길이에 스켈링 이론을 적용할 때 가중치를 이용한 변형된 스켈링 이론을 적용함으로써 이중게이트 MOSFET에 가장 타당한 스켈링 이론에 대하여 설명하였다.
목차
요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 단채널 효과와 스켈링 이론
Ⅲ. 스켈링이론에 따른 단채널 효과의 변화
Ⅳ. 결론
참고문헌
참고문헌 (8)
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1. [단행본] - S.Dimitrijeve / 2012 / Principles of Semiconductor Devices / Oxford press
2. [학술대회논문] - Z.Ding / 2010 / An Analytical Model for the Subthreshold Swing of Double-Gate MOSFETs / IWJT-2010
3. [학술지(정기간행물)] - A.Sahoo / 2010 / A Computationally Efficient Generalized Poisson Solution for Independent Double-Gate Transistors / IEEE Trans. on Electron Devices 57 (3) : 632 ~ 636
4. [학술대회논문] - B.Giraud / 2010 / An Innovative 6T Hybrid SRAM Cell in Sub-32nm Double-Gate MOS Technology / 2010 5th IEEE Int’l Symposium on Electronic Design, Test & Application : 241 ~ 244
5. [학술지(정기간행물)] - S.H.Oh / 2000 / Analytic Description of Short-Channel Effects in Fully- Depleted Double-Gate and Cylindrical, Surrounding- Gate MOSFETs / IEEE Electron Device Letters 21 (9) : 445 ~ 447
2. [학술대회논문] - Z.Ding / 2010 / An Analytical Model for the Subthreshold Swing of Double-Gate MOSFETs / IWJT-2010
3. [학술지(정기간행물)] - A.Sahoo / 2010 / A Computationally Efficient Generalized Poisson Solution for Independent Double-Gate Transistors / IEEE Trans. on Electron Devices 57 (3) : 632 ~ 636
4. [학술대회논문] - B.Giraud / 2010 / An Innovative 6T Hybrid SRAM Cell in Sub-32nm Double-Gate MOS Technology / 2010 5th IEEE Int’l Symposium on Electronic Design, Test & Application : 241 ~ 244
5. [학술지(정기간행물)] - S.H.Oh / 2000 / Analytic Description of Short-Channel Effects in Fully- Depleted Double-Gate and Cylindrical, Surrounding- Gate MOSFETs / IEEE Electron Device Letters 21 (9) : 445 ~ 447
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