이중게이트 MOSFET에서 채널내 도핑분포에 대한 드레인유기장벽감소 의존성

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자료유형: 학술저널

저자정보: 정학기 (군산대학교)

저널정보: 한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 한국정보통신학회논문지 제15권 제9호

발행연도: 2011.9

수록면: 2,000 - 2,006 (7page)

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본 연구에서는 이중게이트(Double Gate;DG) MOSFET의 채널내 도핑분포 형태에 따른 드레인유기장벽감소(drain induced barrier lowering;DIBL) 현상을 분석하였다. DGMOSFET는 기존 MOSFET에서 발생하는 단채널효과를 감소시킬 수 있다는 장점 때문에 많은 연구가 진행 중에 있다. DIBL은 높은 드레인 전압에 의하여 발생하는 에너지밴드의 변화가 문턱전압의 감소로 나타나는 단채널효과이다. 이러한 DIBL을 DGMOSFET의 구조적 파라미터 및 채널 내 도핑분포함수의 변화에 따라 분석하고자 한다. 이를 위하여 가우시안 분포함수를 이용하여 포아송방정식의 해석학적 모델을 유도하였다. 본 논문에서 사용한 해석학적 포아방성식의 전위분포모델 및 DIBL 모델의 타당성을 입증하기 위하여 수치해석학적 결과값과 비교하였으며 이 모델을 이용하여 DGMOSFET의 DIBL을 분석하였다.

#포아송 방정식 #도핑분포 #이온주입범위 #분포편차 #드레인유기장벽감소 #DGMOSFET #Poisson's equation #doping profile #projected range #standard projected range #DIBL

참고문헌 (9)

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1. [학술대회논문] - S.Namana / 2010 / A Subthreshold Surface Potential Modeling of Drain/Source Edge Effect on Double Gate MOS Transistor / 2010 International Conference on Electronics and Information Engineering : 87 ~ 91

2. [학술대회논문] - I.Saad / 2010 / Enhanced Performance of Vertical Double Gate MOSFET(VDGM) With Oblique Rotating Implantation(ORI) Method / Proc. of ICSE2010 : 175 ~ 179

3. [학술지(정기간행물)] - A. Sahoo / 2010 / A Computationally Efficient Generalized Poisson Solution for Independent Double-Gate Transistors / IEEE Trans. Electron Devices 57 (3) : 632 ~ 636

4. [학술지(정기간행물)] - H.K.Jung / 2006 / Analysis of Sub-threshold Carrier Transport for Ultimate DGMOSFET / IEEE Trans. Electron Devices 53 (4) : 685 ~ 691

5. [학술대회논문] - P.K. Tiwari / 2009 / A 2D Analytical Model of the Channel Potential and Threshold Voltage of Double-Gate(DG) MOSFETs with Vertical Gaussian Doping Profile / IMPACT-2009 : 52 ~ 55

이 논문의 저자 정보

Hak-Kee Jung

소속기관 군산대학교

주요연구분야 공학 > 전기전자공학 > 정보통신공학 TOP 10% 공학 > 전기전자공학 > 전자공학

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