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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2012.4
- 수록면
- 793 - 798 (6page)
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본 연구에서는 이중게이트(Double Gate; DG) MOSFET에서 채널 내 도핑분포 및 채널구조에 따른 문턱전압이하 전류의존성을 분석하고자 한다. 전위분포를 구하기 위하여 포아송방정식을 풀 때 전하분포는 가우스분포함수를 이용할 것이며 이의 타당성은 이미 여러 논문에서 입증하였다. 이중게이트 MOSFET는 게이트전압에 의한 전류제어능력의 증가로 단채널 효과를 감소시킬 수 있어 문턱전압이하 특성을 향상시킬 수 있다. 문턱전압이하 영역에서 전류제어는 고집적회로에서 소비전력의 감소와 관계된 매우 중요한 요소이다. 게이트전압에 따른 문턱전압이하 전류의 변화를 이용하여 문턱전압의 변화를 정량적으로 분석할 것이다. 문턱전압이하 전류는 채널 내 도핑분포 및 채널크기에 의하여 영향을 받는다. 그러므로 본 연구에서는 채널길이 및 채널두께의 변화가 전류흐름에 미치는 영향을 채널도핑농도, 도핑분포함수 등에 따라 분석할 것이다.
목차
요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 전위분포모델과 전류모델
Ⅲ. 게이트전압에 따른 전류의 변화
Ⅳ. 결론
참고문헌
참고문헌 (9)
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1. [학술지(정기간행물)] - A.Martinez / 2009 / Impact of Body-Thickness-Dependent Band Structure on Scaling of Double-Gate MOSFETs: A DFT/NEGF Study / IEEE Trans. on Nanotechnology 8 (2) : 159 ~ 166
2. [학술대회논문] - V.Subramanian / 2010 / Identifying the bottlenecks to the RF performance of FinFETs / 2010 23rd International Conference on VLSI Design : 111 ~ 116
3. [학술지(정기간행물)] - S.H.Oh / 2000 / Analytic Description of Short-Channel Effects in Fully-Depleted Double-Gate and Cylindrical, Surrounding-Gate MOSFETs / IEEE Electron Device Letters 21 (9) : 445 ~ 447
4. [학술대회논문] - Z.Ding / 2010 / An Analytical Model for the Subthreshold Swing of Double-Gate MOSFETs / IWJT-2010
6. [학술대회논문] - P.K. Tiwari / 2009 / A 2D Analytical Model of the Channel Potential and Threshold Voltage of Double-Gate(DG) MOSFETs with Vertical Gaussian Doping Profile / IMPACT-2009 : 52 ~ 55
2. [학술대회논문] - V.Subramanian / 2010 / Identifying the bottlenecks to the RF performance of FinFETs / 2010 23rd International Conference on VLSI Design : 111 ~ 116
3. [학술지(정기간행물)] - S.H.Oh / 2000 / Analytic Description of Short-Channel Effects in Fully-Depleted Double-Gate and Cylindrical, Surrounding-Gate MOSFETs / IEEE Electron Device Letters 21 (9) : 445 ~ 447
4. [학술대회논문] - Z.Ding / 2010 / An Analytical Model for the Subthreshold Swing of Double-Gate MOSFETs / IWJT-2010
6. [학술대회논문] - P.K. Tiwari / 2009 / A 2D Analytical Model of the Channel Potential and Threshold Voltage of Double-Gate(DG) MOSFETs with Vertical Gaussian Doping Profile / IMPACT-2009 : 52 ~ 55
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