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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
명재우 (한국산업기술대학교) 강찬형 (한국산업기술대학교)
저널정보
한국표면공학회 한국표면공학회지 한국표면공학회지 제47권 제2호
발행연도
2014.4
수록면
75 - 80 (6page)

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Nanocrystalline diamond(NCD) films on steel(SKH51) has been investigated using SiC interlayer film. SiC was deposited on SKH51 or Si wafer by RF magnetron sputter. NCD was deposited on SiC at 600oC for 0.5~4 h employing microwave plasma CVD. Film morphology was observed by FESEM and FIB. Film adherence was examined by Rockwell C adhesion test. The growth rate of NCD on SiC/Si substrate was much higher than that on SiC/SKH51. During particle coalescence, NCD growth rate was slow since overall rate was determined by the diffusion of carbon on SiC surface. After completion of particle coalescence, NCD growth became faster with the reaction of carbon on NCD film controlling the whole process. In the case of SiC/SKH51 substrate, a complete NCD film was not formed even after 4 h of deposition. The adhesion test of NCD/SiC/SKH51 samples revealed a delamination of film whereas that of SiC/SKH51 showed a good adhesion. Many voids of less than 0.1 μm were detected on NCD/SiC interface. These voids were believed as the reason for the poor adhesion between NCD and SiC films. The origin of voids was due to the insufficient coalescence of diamond particles on SiC surface in the early stage of deposition.
#Nanocrystalline diamond #Microwave plasma CVD #Silicon carbide #Adhesion

목차

Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 실험결과 및 고찰
4. 결론
References

참고문헌 (13)

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1. [학술지(정기간행물)] - D. M. Gruen / 1999 / / Annu. Rev. Mater. Sci 29 : 211 ~ google schola 2. [학술지(정기간행물)] - J. E. Butler / 2008 / / Chem. Vap. Deposition 14 : 145 ~ google schola 3. [학술지(정기간행물)] - V. G. Ralchenko / 1995 / / Diamond Relat. Mater 4 : 754 ~ google schola 4. [학술지(정기간행물)] - Q. H. Fan / 1998 / / Diamond Relat. Mater 7 : 603 ~ google schola 5. [학술지(정기간행물)] - Y. S. Li / 2010 / / Appl. Mater. Interf 2 : 335 ~ google schola

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