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논문 기본 정보

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저널정보
한국신재생에너지학회 신·재생에너지 신재생에너지 제5권 제1호
발행연도
2009.3
수록면
26 - 31 (6page)

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The surface etching characteristics of single crystalline silicon wafer were investigated using potassium hydroxide (KOH) and tetramethylammonium hydroxide (TMAH). The saw damage layer was removed after 10min by KOH 45wt% solution at 80?C. The wafer etched at high temperature (90?C) and in low concentration (4wt%) of TMAH solution showed an increased etch rate of silicon wafer and wavy patterns on the surface. Especially, pyramidal textures were formed in 4wt% TMAH solution without alcohol additives.
#절삭손상층식각 #사메틸 수산화 암모늄 #수산화 칼륨 #Saw Damage Etch #Tetra Methyl Ammonium Hydroxide #Potassium Hydroxide

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