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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
정승한 (전북대학교) 권오봉 (전북대학교) 신성식 (경원테크)
저널정보
대한전자공학회 전자공학회논문지 전자공학회논문지 제52권 3호
발행연도
2015.3
수록면
105 - 115 (11page)

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이 논문의 연구 히스토리 (4)

2015

반도체 식각 전산모사에 적합한 플럭스 생성 조건
정승한 ,  권오봉 ,  신성식 전자공학회논문지 2015.03 학술저널

2014

반도체 식각 공정에 필요한 플럭스 분포 조건 연구
정승한 ,  권오봉 대한전자공학회 학술대회 2014.06 학술대회자료

2013

반도체 식각 시뮬레이션에 최적화된 플럭스 연산 환경
정승한 ,  권오봉 한국정보과학회 학술발표논문집 2013.11 학술대회자료
반도체 식각 시뮬레이션의 적합한 플럭스 조건 연구
정승한 전자.정보공학부(컴퓨터공학) 2013.01 학위논문

초록· 키워드

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반도체 식각 전산모사에서는 플라즈마 입자를 생성하는 소스의 모델링이 필요하다. 본 논문에서는 플라즈마 식각 공정에서 사용하는 소스를 확률분포함수로 모델링하고, 몬테칼를로 방법을 이용하여 특정 프로프일의 플럭스를 계산하는 실험을 하였다. 소스의 모델링 파라미터로 소스와 셀 사이의 거리, 소스에서 방사하는 입자수가 있고, 플럭스 계산에 미치는 추가적인 파라미터로 프로파일 상의 셀의 수(셀의 면적)이 있다. 방사하는 입자 분포는 사용하는 소스의 물성에 따라 가우시안 분포와 코사인 분포로 모델링 할 수 있는데, 본 논문은 이들 각각에 대하여 파라미터를 바꿔가며 전산모사를 한 결과를 보인다. 오차율은 가우지안(Incident Flux)과 코사인분포(Incident Neutral Flux)에서 모두 입자 수의 증가에 따라 상당부분 감소하였으나 처리시간은 이보다 더 증가하였다. 셀수와 거리의 증가는 오차율을 약간 증가시켰고 처리시간도 증가시켰다. 본 논문의 실험 결과를 통해 처리 시간을 고려하여 적합한 플럭스의 계산을 유추할 수 있다.
#플라즈마 식각 #전산모사 #플럭스 #소스 모델링 #몬테카를로

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 전산모사 모델
Ⅲ. 몬테카를로 방법을 이용한 플럭스 계산
Ⅳ. 실험 및 평가
Ⅴ. 결론
REFERENCES

참고문헌 (10)

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1. [인터넷자원] - ESI / / Webinar: Plasma Simulations for Semiconductor industry google schola 2. [단행본] - J. W. Jeong / 2014 / Plasma Electronic / Cheongmungak google schola 3. [학술지(정기간행물)] - D. J. Economou / 2000 / Modeling and simulation of plasma etching reactors for microelectronics / Thin Solid Films 365 (2) : 348 ~ 367 google schola 4. [단행본] - J. A. Sethian / 2006 / Level Set Methods and Fast Marching Methods / Cambridge University Press google schola 5. [학술지(정기간행물)] - E. W. Scheckler / 2006 / Models and Algorithms for Three-Dimensional Topology Simulation with SAMPLE-3D / IEEE Trans. On Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 13 (2) : 219 ~ 230 google schola

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