지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
이용수
등록된 정보가 없습니다.
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
Anomalous Phenomena on Subthreshold Characteristics of SOI MOSFET Back Gate Voltage
대한전자공학회 학술대회
1998 .11
SOI-MOSFET의 subthreshold 영역에서의 I-V 특성 ( I-V characteristics in subthreshold region of SOI-MOSFET )
대한전자공학회 학술대회
1993 .11
SOI-MOSFET의 subthreshold영역에서의 Ⅰ-Ⅴ특성
대한전자공학회 학술대회
1993 .11
대칭/비대칭 double 게이트를 갖는 SOI MOSFET에서 subthreshold 누설 전류 특성 분석
대한전기학회 학술대회 논문집
2002 .07
Substrate Bias Dependent Subthreshold Slope Model for SOI MOSFET`s
대한전자공학회 학술대회
1994 .07
Substrate Bias Dependent Subthreshold Slope Model for SOI MOSFET’s
대한전자공학회 학술대회
1994 .07
게이트가 파인 구조를 이용한 SOI MOSFET에서의 항복전압 개선 ( Breakdown Voltage Improvement in SOI MOSFET Using Gate-Recessed Structure )
전자공학회논문지-A
1995 .12
MOSFET의 Subthreshold 전류에 관한 연구 ( A Study on the Subthreshold Currents of Short-Channel MOSFET )
대한전자공학회 학술대회
1984 .01
n-채널 SOI MOSFET의 I-V 특성연구
대한전자공학회 학술대회
1993 .07
n-채널 SOI MOSFET의 I-V 특성연구 ( A Study on I-V Characteristics of n-Channel SOI MOSFET )
대한전자공학회 학술대회
1993 .07
소규모의 SOI MOSFET의 문턱 전압에 관한 연구 ( A Study on the Threshold Voltage of Small SOI MOSFET )
대한전자공학회 학술대회
1992 .01
초박막 SOI MOSFET의 문턱전압과 Subthreshold slope의 해석적 모델
대한전자공학회 학술대회
1992 .06
N-Channel MOSFET에 대한 Subthreshold 영역에서의 전류특성 연구 ( A Study on the Currents of N-Channel MOSFET in Subthreshold Region )
대한전자공학회 학술대회
1985 .01
SOI MOSFET의 단채널 효과를 고려한 문턱전압과 I-V 특성 연구 ( A Study on Threshold Voltage and I-V Characteristics by Considering the Short-Channel Effect of SOI MOSFET )
대한전자공학회 학술대회
1993 .01
SOI(Silicon-on-Insulator) 소자에서 후면 Bias에 대한 전기적 특성의 의존성
한국재료학회 학술발표대회
1993 .01
다중 게이트을 이용한 부분 공핍형 SOI MOSFET 특성에 관한 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
1997 .07
n채널 SOI MOSFET의 제작과 특성 ( Fabrication and Characterization of the N-Channel SOI MOSFET )
대한전자공학회 학술대회
1993 .01
SOI MOSFET의 Constant Voltage Scaling
대한전자공학회 워크샵
1990 .01
SOI MOSFET 의 소자 파라미터 추출 ( Extraction of Device Parameter for SOI MOSFET )
대한전자공학회 학술대회
1991 .11
Effect of rapid thermal annealing on interface trap density by using subthreshold slope technique in the FD SOI MOSFETs
대한전자공학회 학술대회
2003 .07
0