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- 자료유형
- 학술대회자료
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- 발행연도
- 2021.6
- 수록면
- 761 - 763 (3page)
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BCAT 구조에서 GIDL을 감소시키고자 소스와 게이트의 Overlap 구간에 산화막 두께를 선택적으로 두껍게 형성하고, 상·하단으로 분리된 이중 Poly Silicon 게이트를 구현하고 전기적 특성을 검증하였다. 이중 Poly Silicon 게이^_@span style=color:#999999 ^_# ... ^_@/span^_#^_@a href=javascript:; onclick=onClickReadNode('NODE10569091');fn_statistics('Z354','null','null'); style='color:#999999;font-size:14px;text-decoration:underline;' ^_#전체 초록 보기^_@/a^_#
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