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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2022.6
- 수록면
- 405 - 408 (4page)
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As the size of the semiconductor device decreases, not only performance but also reliability evaluation is used as important evaluation rules. Among them, the gate leakage current generated by the hot carrier is one of the important indicators for determining the reliability of the semiconductor device. In the TCAD simulation, the gate leakage current is defined and predicted by three models, but compared to the actual measurement data, its accuracy is poor. Therefore, this paper presents a method to improve accuracy by modifying a parameter that was a constant within the existing gate leakage current model. In addition, we compare the measured data with the TCAD simulation results to confirm the effectiveness and propose a direction to secure versatility by applying it to semiconductor devices of various structures.
목차
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
참고문헌
참고문헌 (0)
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