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Jongmin Ha (Myongji University) Jae Yoon Lee (Gachon University) Myeongseon Kim (Myongji University) Seongjae Cho (Gachon University) Il Hwan Cho (Myongji University)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.19 No.2
발행연도
2019.4
수록면
165 - 171 (7page)
DOI
10.5573/JSTS.2019.19.2.165

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In this paper, we propose a double-gate one-transistor dynamic random-access memory (1T DRAM) with middle partial insulation (MPI) structure for low power application. Low power operation with the gate-induced drain leakage (GIDL) programming method can be obtained while maintaining the original advantages of MPI 1TDRAM. The optimization of the MPI 1T-DRAM device for the GIDL method is investigated with technology computer-aided design (TCAD). High current ratio and low power consumption are obtained from the proposed 1T-DRAM device. Optimal device design in terms of barrier insulator length and fin width have been carried out for improvements of device performances and reliability.
#1T DRAM #middle partial insulation #gate-induced drain leakage (GIDL) #TCAD

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. DEVICE STRUCTURE AND SIMULATION APPROACHES
Ⅲ. RESULTS AND DISCUSSION
Ⅳ. CONCLUSION
REFERENCES

참고문헌 (21)

참고문헌 신청
A. Nitayama, Y. Kohyama, and K. Hieda, “Future directions for DRAM memory cell technology,” Tech. Dig. IEEE IEDM, pp. 355?358, Dec. 1998. google schola D.-I. Jeon and K.-S. Chung, “DRBAC: Dynamic row buffer access control for power and performance of DRAM systems,” J. Semicond. Technol. Sci., vol. 18, no. 3, pp. 307?314, Jun. 2018. google schola J. W. Jung, S. B. Han, and K. Lee, “W Polymetal Gate Technology for Giga Bit DRAM” J. Semicond. Technol. Sci., vol. 1, no. 1, pp. 31 ? 39, Mar. 2001. google schola C. J. Radens, et al., “An orthogonal 6F2 trenchsidewall vertical device cell for 4 Gb/16 Gb DRAM,” Tech. Dig. IEEE IEDM, pp. 349?352, Dec. 2000. google schola S. Kim and H. Yang, “Dual-port SDRAM Architecture for Low-power Communication of Internet-of-things Devices,” J. Semicond. Technol. Sci., vol. 17, no. 6, pp. 893?903, Dec. 2017. google schola

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