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Gyu-Beom Kim (Gangneung-Wonju National University) Chan-Hyeok Nam (Gangneung-Wonju National University) Yeon Seok Kim (Gangneung-Wonju National University) Joon Hyeong Park (Purdue University) Jiseok Kwon (The Catholic University of Korea) Myung-Hyun Baek (Gangneung-Wonju National University)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.25 No.2
발행연도
2025.4
수록면
134 - 141 (8page)
DOI
10.5573/JSTS.2025.25.2.134

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With the growing demand for faster data processing and enhanced computational performance, DRAM technology faces increasing challenges as cell dimensions shrink below 10 nm. This study focuses on two critical phenomena in vertical DRAM structures: the Pass Gate Effect (PGE) and Gate-Induced Drain Leakage (GIDL). We perform comprehensive 2D Technology Computer-Aided Design (TCAD) simulations to analyze the impact of aggressor cell activation on victim cell barrier modulation. Additionally, we investigate the effect of floating body structure on GIDL. Our results indicate that the absence of a Back Gate (BG) significantly exacerbates PGE, while integrating a BG effectively suppresses this effect. These results emphasize the importance of the BG in mitigating inter-cell interference and improving the overall performance of DRAM.
#DRAM #pass gate effect (PGE) #gate-induced drain leakage (GIDL) #vertical DRAM

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. PASS GATE EFFECT
III. SIMULATION CONDITION
IV. EXPERIMENTAL RESULTS
V. CONCLUSIONS
REFERENCES

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