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GaAs (311)A 기판 위에 성장된 탄소 도핑된 GaAs 에피층의 광여기 발광
전기전자재료학회논문지
2002 .01
Carbon Doping Characteristics of GaAs Epilayers Grown by MOCVD on GaAs - substrates with various crystal orientations -
대한전자공학회 학술대회
1996 .01
고농도로 탄소 도핑된 높은 밀러 지수 GaAs
한국재료학회지
2003 .01
Luminescence Study of Carbon Doped GaAs Grown on GaAs ( 311 ) a Substrate by MOCVD
ICVC : International Conference on VLSI and CAD
1997 .01
저압 MOCVD로 CBr4 가스를 사용하여 탄소도핑된 GaAs 에피층의 결정학적 방향에 따른 전기적 성질의 의존성
전기전자재료학회논문지
2002 .01
InAs/GaAs 박막의 Photoluminescence 연구
한국통신학회 기타 간행물
2001 .10
Discrimination of Substrate-Induced Artifact From Photoluminescence Peak of Heavily Doped GaAs
대한전자공학회 학술대회
1996 .01
The Electrical and Optical Charateristics of Carbon Doped GaAs Epilayers Grown by MOCVD
대한전자공학회 학술대회
1994 .01
Low Temperature ( LT ) GaAs 에피층의 성장과 그 특성연구 ( The Growth and Its Characteristics of Low Temperature ( LT , 250˚C ) GaAs Epilayer )
전자공학회논문지-A
1994 .09
Co/GaAs 계면 반응에 미치는 GaAs 기판의 표면처리 영향
한국재료학회 학술발표대회
1994 .01
Crystallographic Orientation Dependence of Carbon Incorporation into GaAs Epilayers
대한전자공학회 학술대회
1997 .01
PECVD방법으로 형성한 $W_{67}N_{33}$/GaAs구조의 열적 특성
한국재료학회지
1993 .01
GaAs Technology
대한전자공학회 학술대회
1988 .01
고효율 GaAs / GaAs p-n, p-i-n 태양전지에 관한 연구
한국태양에너지학회 학술대회논문집
1999 .04
Temperature Dependence of the Electrical Properities of Carbon Doped GaAs
대한전자공학회 학술대회
1995 .01
MBE에 의하여 성장된 GaAs 에피층의 특성 ( Characteristics of GaAs Epilayer Grown by Molecular Beam Epitaxy )
대한전자공학회 학술대회
1985 .01
GaAs Epi층의 온도의존성 ( Substrate Temperature Dependence of GaAs Epitaxial Layer )
대한전자공학회 학술대회
1985 .01
MBE에 의한 GaAs 에피층 성장 ( GaAs Epilayer Growth by Molecular Beam Epitaxy )
대한전자공학회 학술대회
1985 .01
레이저 CVD를 이용한 GaAs/GaAs 및 GaAs/Si 결정성장연구
대한전기학회 학술대회 논문집
1989 .07
I1 Peak of the Undoped ZnSe/GaAs Epilayer
대한전자공학회 학술대회
1996 .01
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