개인구독
소속 기관이 없으신 경우, 개인 정기구독을 하시면 저렴하게
논문을 무제한 열람 이용할 수 있어요.
지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2006.11
- 수록면
- 458 - 461 (4page)
이용수
초록· 키워드
오류제보하기
In this paper, High performance In<SUB>0.52</SUB>Al<SUB>0.48</SUB>As/In<SUB>0.53</SUB>Ga<SUB>0.47</SUB>As
metamorphic high electron mobility transistors (mHEMTs) on a GaAs substrate with the InP recess etch stop layer and zigzag-shaped T-gates are presented. A InP recess etch stop layer is introduced to control the gate recess depth. A zigzag gate foot is proposed to enhance mechanical support of T-gates. The fabricated 35 ㎚ In<SUB>0.52</SUB>Al<SUB>0.48</SUB>As/In<SUB>0.53</SUB>Ga<SUB>0.47</SUB>As metamorphic GaAs HEMTs show 896 ㎃/㎜ of a maximum drain current at V<SUB>DS</SUB>=1 V and 961 mS/㎜ of a maximum transconductance at V<SUB>GS</SUB> = -0.2 V, V<SUB>DS</SUB>=1 V. In addition, high performance RF characteristics have been achieved with a current gain cutoff frequency(f<SUB>γ</SUB>) of 400 ㎓, and a maximum oscillation frequency(f<SUB>max</SUB>) of 400 ㎓.
metamorphic high electron mobility transistors (mHEMTs) on a GaAs substrate with the InP recess etch stop layer and zigzag-shaped T-gates are presented. A InP recess etch stop layer is introduced to control the gate recess depth. A zigzag gate foot is proposed to enhance mechanical support of T-gates. The fabricated 35 ㎚ In<SUB>0.52</SUB>Al<SUB>0.48</SUB>As/In<SUB>0.53</SUB>Ga<SUB>0.47</SUB>As metamorphic GaAs HEMTs show 896 ㎃/㎜ of a maximum drain current at V<SUB>DS</SUB>=1 V and 961 mS/㎜ of a maximum transconductance at V<SUB>GS</SUB> = -0.2 V, V<SUB>DS</SUB>=1 V. In addition, high performance RF characteristics have been achieved with a current gain cutoff frequency(f<SUB>γ</SUB>) of 400 ㎓, and a maximum oscillation frequency(f<SUB>max</SUB>) of 400 ㎓.
목차
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 소자 제작
Ⅲ. 소자의 DC 및 RF 특성
Ⅳ. 결론
참고문헌
참고문헌 (0)
참고문헌 신청함께 읽어보면 좋을 논문
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
-
저온에서 500 ㎓의 ft를 가지는 In0.52Al0.48As/In0.53 Ga0.47 As Metamorphic GaAs HEMT의 제작
대한전자공학회 학술대회
2007 .07
-
저온에서 500 ㎓의 ft를 가지는 In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As Metamorphic GaAs HEMT의 제작
대한전자공학회 학술대회
2007 .07
-
DC and RF Characteristics of 0.15 um Power Metamorphic HEMTs
[ETRI] ETRI Journal
2005 .12
-
Improved Breakdown Voltage Characteristics of In0.5Ga0.5P/In0.22Ga0.78As/GaAs p-HEMT with an Oxidized GaAs Gate
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2003 .06
-
AlGaAs / GaAs HEMT 소자의 제작 및 특성 ( Fabrication and Characterization of GaAs / AlGaAs HEMT Device )
전자공학회논문지-A
1994 .09
-
Photoresponse of InAlAs/InGaAs Metamorphic HEMT on GaAs substrate with Composite Channel
한국통신학회 기타 간행물
2002 .10
-
Remote-PECVD SiN passivation을 이용한 metamorphic-HEMT의 성능향상
대한전자공학회 학술대회
2007 .07
-
통신용 초고속 반도체소자 - Digital GaAs 집적회로와 HEMT'S를 중심으로 - ( Ultra-High-Speed Semiconductor Devices for Data Communication Applications - Digital GaAs IC'S and HEMT｀S - )
한국통신학회논문지
1986 .06
-
밀리미터파 응용을 위한 우수한 성능의 50 nm Metamorphic HEMTs
전기전자학회논문지
2012 .06
-
Remote-PECVD SiN passivation을 이용한 metamorphic-HEMT의 성능향상
대한전자공학회 학술대회
2007 .07
-
Analysis and Modeling for 1-5 Characteristics of HEMT`s
KITE JOURNAL OF ELECTRONICS ENGINEERING
1991 .01
-
Hemt 소자 공정 연구 ( A Study on HEMT Device Process )
한국통신학회 학술대회논문집
1989 .01
-
HEMT 소자 공정 연구 ( A Study on HEMT Device Process )
특정연구 결과 발표회 논문집
1989 .01
-
HEMT 소자 제작을 위한 GaAs/AlGaAs층의 선택적 건식식각 ( Selective Dry Etching of GaAs/AlGaAs Layer for HEMT Device Fabrication )
전자공학회논문지-A
1991 .11
-
MOCVD법을 이용한 AlGaAs / GaAs HEMT의 제작 ( Fabrication of AlGaAs / GaAs HEMT From MOCVD Water )
대한전자공학회 학술대회
1990 .01
-
Metamorphic InAlAs/InGaAs HEMT 소자의 기술동향
[ETRI] 전자통신동향분석
2000 .12
-
HEMT의 2차원 수치 해석 ( Two Dimensional Numerical Analysis of HEMT ` s )
전자공학회논문지
1989 .11
-
GaAs / AlGaAs HEMT 구조의 2DEG 측정 ( The Measurements of 2DEG in GaAs / AlGaAs HEMT structure )
대한전자공학회 학술대회
1989 .11
-
HeMT소자 공정 연구 - Part 2. HEMT 구조에서의 Ohmic 접촉저항 ( A Study on HEMT Device Process - Part 2. Ohmic Contact Resistance in GaAs/AlGaAs Hetero-Structure )
전자공학회논문지
1989 .10
-
A SIMPLE MODEL for I-V CHARACTERISTICS of HEMTs
JTC-CSCC : Joint Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications
1988 .01
이 논문의 저자 정보
최근 본 자료
댓글(0)
0