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학술대회자료
저자정보
김정하 (한양대학교) 박유진 (한양대학교) 최승혁 (한양대학교) 이상선 (한양대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 대한전자공학회 2006년도 추계학술대회 논문집Ⅱ
발행연도
2006.11
수록면
526 - 529 (4page)

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PoRAM (polymer random access memory) is characteristic of the bistable electrical device that the current differences between low-resistively and high-resistively is more than 100 times as a next-generation memory device. The cross point 1R structure can be created by adding polymer material into the metal cross-points of the top and bottom electrodes. And the merit has high-integration and low-costs. However, it is difficult to sensing and generated to problem of leakage current a cross-point unit memory cell data because the memory cells in the array are completely un isolated electrically. In this work, a novel selection method supposed and makes the current path MOS-switch connects with the memory cell array input stage in compensation for this problem and a high performance. Also the MOS-Switch for each word/bit line to selection, sensing to memory cell and the Write/Erase operation.

목차

Abstract
Ⅰ. 서론
2. 메모리셀 선택을 위한 디코딩 방법
3. 셀 어레이의 새로운 선택과 센싱 방법
4. Conclude
참고문헌

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