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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 1993.11
- 수록면
- 459 - 462 (4page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (5)
1994
Hot electron 에 의하여 노쇠화된 PMOSFET 의 문턱전압과 유효 채널길이 모델링 ( The Threshold Voltage and the Effective Channel Length Modeling of Degraded PMOSFET due to Hot Electron )
홍성택
,
박종태
전자공학회논문지-A
1994.08
학술저널
AC 스트레스에서 Hot Carrier로 인한 PMOSFET의 노쇠화 현상
홍성택
,
유종근
,
박종태
대한전자공학회 학술대회
1994.07
학술대회자료
AC 스트레스에서 Hot Carrier로 인한 PMOSFET의 노쇠화 현상 ( Hot Carrier Induced Device Degradation of PMOSFET Under AC Stress )
홍성택
,
유종근
,
박종태
대한전자공학회 학술대회
1994.07
학술대회자료
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목차
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. PMOSFET의 소자 노쇠화 모델
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
REFERENCES
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노쇠화된 PMOSFET의 문턱전압과 유효 채널길이를 위한 반 경험적 모델 ( Semi Empirical Model for the Threshold Voltage and the Effective Channel Length of Degraded PMOSFET )
대한전자공학회 학술대회
1993 .11
-
Hot electron 에 의하여 노쇠화된 PMOSFET 의 문턱전압과 유효 채널길이 모델링 ( The Threshold Voltage and the Effective Channel Length Modeling of Degraded PMOSFET due to Hot Electron )
전자공학회논문지-A
1994 .08
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δ 도핑된 Si0.8Ge0.2 0.13㎛ pMOSFET 소자 특성 조사
대한전자공학회 학술대회
1996 .11
-
SC-PMOSFET 의 수평 전계 모델과 노쇠화 메커니즘 ( Lateral Electric Field Model and Degradation Mechanism of Surface-Channel PMOSFET`s )
전자공학회논문지-A
1994 .01
-
0.1㎛ 레벨 PMOSFET의 소자 열화에 관한 연구 ( A Study on the Device Degradation with 0.1㎛ level PMOSFET )
한국통신학회논문지
1998 .11
-
양 방향 Hot Carrier 스트레스에 의한 PMOSFET 노쇠화 ( PMOSFET Degradation due to Bidirectional Hot Carrier Stress )
전자공학회논문지-A
1995 .06
-
Fabrication of 0.1mm Surface Channel pMOSFET
대한전자공학회 학술대회
1996 .01
-
게이트 전류를 이용한 SC-PMOSFET의 수명 시간 모델링 ( A Lifetime Modeling Using Gate Current for Surface-Channel PMOSFET`S )
대한전자공학회 학술대회
1992 .11
-
Hot-Carrier로 인한 PMOSFET의 소자 수명시간 예측 모델링 ( II ) ( A Lifetime Prediction Modeling for PMOSFET degraded by Hot-Carrier ( II ) ) ( A Lifetime Prediction Modeling Using Gate Current for PMOSFET )
전자공학회논문지-A
1993 .09
-
0.1 μm 표면 채널 GR - Pmosfet 의 스케일링에 관한 연구 ( A Study on the Scale - Down of 0.1μm Surface - Channel GR - Pmosfet )
전자공학회논문지-A
1994 .11
-
AC 스트레스에서 Hot Carrier로 인한 PMOSFET의 노쇠화 현상 ( Hot Carrier Induced Device Degradation of PMOSFET Under AC Stress )
대한전자공학회 학술대회
1994 .07
-
AC 스트레스에서 Hot Carrier로 인한 PMOSFET의 노쇠화 현상
대한전자공학회 학술대회
1994 .07
-
유효채널 길이가 0.3㎛인 P+Poly Si Gate PMOSFET의 전기적 특성 ( A Study on Deep Submicron P+Poly Si Gate PMOSFET )
대한전자공학회 학술대회
1990 .01
-
Hot Electron Induced Channel Shortening Length Model in PMOSFET’s
대한전자공학회 학술대회
1994 .01
-
Hot-Carrier로 인한 PMOSFET의 소자 수명시간 예측 모델링 ( I ) ( A Lifetime Prediction Modeling for PMOSFET degraded by Hot-Carrier ( I ) )
전자공학회논문지-A
1993 .08
-
다이나믹 스트레스에서 LDD PMOSFET의 노쇠화 메카니즘
대한전자공학회 학술대회
1995 .06
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DC and RF Characteristics of Si0.8Ge0.2 pMOSFETs: Enhanced Operation Speed and Low 1/f Noise
[ETRI] ETRI Journal
2003 .06
-
Gd-pMOSFET 열중성자 측정기 구현 및 감도개선
대한전기학회 학술대회 논문집
2005 .10
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Extended MINIMOS를 이용한 매몰 채널과 표면 채널 PMOSFET의 노쇠화 현상 비교 ( A Comparative of Degradation Effects in Buried-and Surface-Channel PMOSFET`s Using Extended MINIMOS )
대한전자공학회 학술대회
1991 .11
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Deep Submicrometer 표면 채널형 PMOSFET의 단채널 특성 ( The Characteristics of Short Channel Effect in Deep Submicrometer Surface-Channel PMOSFETs )
한국통신학회 전문대학 논문지
1996 .01
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