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이용수
요약
1. 서론
2. 노쇠화 메카니즘
3. 실험 및 측정결과
4. 결론
참고문헌
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다이나믹 스트레스에서 LDD PMOSFT의 노쇠화 메커니즘 ( Device Degradation Mechanism of LDD PMOSFET Under Dynamic Stress )
대한전자공학회 학술대회
1995 .07
BF2 이온 주입한 표면 채널 LDD PMOSFET의 Hot-Carrier 효과 ( Hot-Carrier Effects of BF3 Ion-Implanted Surface-Channel LDD PMOSFET )
전자공학회논문지-A
1991 .12
Hot Electron에 의한 LDD NMOS의 노쇠화 메카니즘
대한전자공학회 학술대회
1994 .11
양 방향 Hot Carrier 스트레스에 의한 PMOSFET 노쇠화 ( PMOSFET Degradation due to Bidirectional Hot Carrier Stress )
전자공학회논문지-A
1995 .06
δ 도핑된 Si0.8Ge0.2 0.13㎛ pMOSFET 소자 특성 조사
대한전자공학회 학술대회
1996 .11
SC-PMOSFET 의 수평 전계 모델과 노쇠화 메커니즘 ( Lateral Electric Field Model and Degradation Mechanism of Surface-Channel PMOSFET`s )
전자공학회논문지-A
1994 .01
0.1㎛ 레벨 PMOSFET의 소자 열화에 관한 연구 ( A Study on the Device Degradation with 0.1㎛ level PMOSFET )
한국통신학회논문지
1998 .11
AC 스트레스에서 Hot Carrier로 인한 PMOSFET의 노쇠화 현상 ( Hot Carrier Induced Device Degradation of PMOSFET Under AC Stress )
대한전자공학회 학술대회
1994 .07
AC 스트레스에서 Hot Carrier로 인한 PMOSFET의 노쇠화 현상
대한전자공학회 학술대회
1994 .07
LDD 소자 최적화의 실험적 고찰 ( An Experimental Investigation of LDD Device Optimization )
전자공학회논문지
1990 .03
핫 캐리어 신뢰성 개선을 위한 새로운 LDD 구조에 대한 연구
전기전자재료학회논문지
2002 .01
n-불순물 농도에 따른 N-채널 LDD 트랜지스터의 노쇠현상 ( n-Doping Density Dependent Hot-Carrier Degradation in N-Channel LDD MOSFET's )
대한전자공학회 학술대회
1989 .01
Hot Electron에 의한 LDD NMOS의 노쇠화 메커니즘 ( Hot Electron Induced the Degradation Mechanism of Ldd NMOSFET )
대한전자공학회 학술대회
1994 .11
AN EXPERIMENTAL INVESTIGATION OF ENHANCED LDD DEVICES
ICVC : International Conference on VLSI and CAD
1989 .01
노쇠화된 PMOSFET의 문턱전압과 유효 채널길이를 위한 반 경험적 모델 ( Semi Empirical Model for the Threshold Voltage and the Effective Channel Length of Degraded PMOSFET )
대한전자공학회 학술대회
1993 .11
노쇠화된 PMOSFET의 문턱전압과 유효 채널길이를 위한 반 경험적 모델
대한전자공학회 학술대회
1993 .11
게이트와 n-드레인 OVERLAP이 N-CHANNEL LDD 트랜지스터의 노쇠현상에 미치는 영향 ( THE EFFECT OF GATE TO n-DRAIN OVERLAP ON THE DEGRADATION OF N-CHANNEL LDD TRANSISTORS )
대한전자공학회 학술대회
1988 .01
LDD MOSFET의 최적화에 관한 연구 ( Study on the Optimization of LDD MOSFET )
전자공학회논문지
1987 .05
Hot electron 에 의하여 노쇠화된 PMOSFET 의 문턱전압과 유효 채널길이 모델링 ( The Threshold Voltage and the Effective Channel Length Modeling of Degraded PMOSFET due to Hot Electron )
전자공학회논문지-A
1994 .08
LDD 구조를 가진 다결정 실리콘 박막 트랜지스터에서의 열화 특성의 분석
한국통신학회 학술대회논문집
2002 .11
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