Hot Electron에 의한 LDD NMOS의 노쇠화 메카니즘

김덕기 ,  박현진 ,  김용택 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1994 .11

NMOSFET에서 LDD 영역의 전자 이동도 해석 ( Analysis of Electron Mobility in LDD Region of NMOSFET )

이상기 ,  황현상 ,  안재경 외 4명

전자공학회논문지-A

1996 .10

핫 캐리어 신뢰성 개선을 위한 새로운 LDD 구조에 대한 연구

장의구 ,  서용진 ,  김상용 외 1명

전기전자재료학회논문지

2002 .01

n-불순물 농도에 따른 N-채널 LDD 트랜지스터의 노쇠현상 ( n-Doping Density Dependent Hot-Carrier Degradation in N-Channel LDD MOSFET's )

박재관 ,  김경태 ,  신윤승

대한전자공학회 학술대회

1989 .01

LDD NMOSFET에서 Hot Carrier 열화시 Device Lifetime에 관한 연구

고정욱 ,  김재영 ,  강문상 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1997 .11

LDD NMOSFET 에서의 Hot-Carrier Trap에 의한 Series Resistance의 증가에 관한 연구 ( A Study on The Increase of Series Resistance Due To Hot-carrier Trap in LDD NMOSFET )

신덕준 ,  김재영 ,  강문상 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

LDD NMOSFET에서의 Hot-Carrier Trap에 의한 Series Resistance의 증가에 관한 연구

신덕준 ,  김재영 ,  강문상 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

서브마이크론 LDD NMOSFET의 핫캐리어 열화에 의한 유효채널길이의 증가 ( The Increase of the Effective Channel Length by the Hot-Carrier Degradation in Submicron LDD NMOSFETs )

이준표 ,  김재영 ,  강문상 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1995 .11

서브마이크론 LDD NMOSFET의 핫캐리어 열화에 의한 유효채널길이의 증가

이준표 ,  김재영 ,  강문상 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1995 .12

LDD NMOSFET의 Hot-Carrier로 인한 전류열화 특성의 Analytic Model

구정석 ,  김영관 ,  권호엽 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

다이나믹 스트레스에서 LDD PMOSFT의 노쇠화 메커니즘 ( Device Degradation Mechanism of LDD PMOSFET Under Dynamic Stress )

김형기 ,  장성준 ,  박현진 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1995 .07

LDD NMOSFET에서 Hot Carrier 열화시 Device Lifetime에 관한 연구

고정욱 ,  김재영 ,  강문상 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1997 .11

Hot Electron Degradation via Hot Hole Injection in Submicron Buried-Channel LDD P-MOSFET`s

Hyung J. Lee ,  Gyu Han Yoon ,  Lee Yeun Hwang

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1995 .01

Time Dependent Hot-Carrier-Induced Interface State Generation in Deep Submicron LDD NMOSFETs

김시호 ,  이귀로

대한전자공학회 학술대회

1995 .01

LDD 소자 최적화의 실험적 고찰 ( An Experimental Investigation of LDD Device Optimization )

강대관 ,  김달수 ,  김현철 외 1명

전자공학회논문지

1990 .03

Hot electron 효과로 노쇠화된 NMOSFET의 드레인 출력저항 특성 ( The Characteristics of Degraded Drain Output Resistance of NMOSFET due to Hot Electron Effects )

김미란 ,  박종태

전자공학회논문지-A

1993 .09

게이트와 n-드레인 OVERLAP이 N-CHANNEL LDD 트랜지스터의 노쇠현상에 미치는 영향 ( THE EFFECT OF GATE TO n-DRAIN OVERLAP ON THE DEGRADATION OF N-CHANNEL LDD TRANSISTORS )

박재관 ,  신윤승

대한전자공학회 학술대회

1988 .01

다이나믹 스트레스에서 LDD PMOSFET의 노쇠화 메카니즘

김형기 ,  장성준 ,  박현진 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1995 .06

Retrograde Boron 채널 LDD 구조의 0.1㎛ nMOSFET 소자 제작

최영진 ,  박병국 ,  이종덕

대한전자공학회 학술대회

1995 .12

Retrograde Boron 채널 LDD 구조의 0.1μm nMOSFET 소자 제작 ( Fabrication of 0.1μm Nmosfet's using Retrograde Boron Channel LDD Structure )

최영진 ,  박병국 ,  이종덕 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1995 .11