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대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 대한전자공학회 종합 학술 대회 논문집 (추계) 1998 Vol.21 No.2
발행연도
1998.11
수록면
557 - 560 (4page)

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이 논문의 연구 히스토리 (19)

2001

ULSI급 CMOS 소자 특성 분석을 위한 몬테 카를로 이온 주입 공정 시뮬레이션시의 효율적인 가상 이온 발생법
손명식 ,  이진구 전자공학회논문지-SD 2001.11 학술저널

1998

연속 이온 주입 공정 모델링 및 시뮬레이션
손명식 ,  박수현 ,  황호정 대한전자공학회 학술대회 1998.11 학술대회자료
연속 이온 주입 공정 모델링 및 시뮬레이션 ( Modeling and Simulation of Multiple Implantation Process )
손명식 ,  박수현 ,  황호정 대한전자공학회 학술대회 1998.11 학술대회자료
3차원 몬테 카를로 이온 주입 공정 모델링 및 시뮬레이션 : 효율적인 가상 궤적 발생 알고리듬 ( Three-Dimensional Monte Carlo Modeling and Simulation of Ion Implantation Process : an Efficient Virtual Trajectory Split Approach )
손명식 ,  황호정 전자공학회논문지-D 1998.03 학술저널

1997

단결성 〈100〉GaAs 기판에서의 3차원 이온 주입 공정 모델링 및 시뮬레이션
손명식 ,  황호정 대한전자공학회 학술대회 1997.11 학술대회자료
단결정 ＜ 100 ＞ GaAs 기판에서의 3차원 이온 주입공정 모델링 및 시뮬레이션 ( A Three-Dimensional Monte Carlo Modeling and Simulation of Ion Implementation Into 〈 100 〉 Single-Crystal GaAs )
손명식 ,  황호정 대한전자공학회 학술대회 1997.11 학술대회자료
ULSI CMOS 공정 기술 개발 및 제조를 위한 물리적 토대의 3차원 이온 주입 공정 모델링 및 시뮬레이션 ( Physically-Based Three-Dimensional Implant Modeling and Simulation for ULSI CMOS Process Technology Development and Manufacturing )
손명식 ,  황호정 대한전자공학회 학술대회 1997.07 학술대회자료
3차원 몬테 카를로 이온주입 공정 모델링 : 3차원 잡음 영역을 최소화하기 위한 효율적인 가상 궤적 발생 알고리듬 ( Three-Dimensional Monte Carlo Modeling of Ion Implantation : Development of an Efficient 3D Virtual Trajectory Split Algorithm )
손명식 ,  황호정 대한전자공학회 학술대회 1997.07 학술대회자료
3차원 몬테 카를로 이온 주입 공정 모델링 : 3차원 잡음 영역을 최소화하기 위한 효율적인 가상 궤적 발생 알고리듬
손명식 ,  황호정 대한전자공학회 학술대회 1997.06 학술대회자료
이온 주입 시의 점결함 발생과 재결합에 관한 3차원 몬테 카를로 모델링 및 시뮬레이션 ( Three - Dimensional Monte Carlo Modeling and Simulation of Point Defect Generation and Recombination During Ion Implantation )
손명식 ,  황호정 전자공학회논문지-D 1997.05 학술저널
Three-Dimensional Full-Dynamic Damage Model for Ion Implantation into Crystalline Silicon
손명식 ,  황호정 대한전자공학회 학술대회 1997.01 학술대회자료

1996

단결정 실리콘에서의 3차원 몬테 카를로 이온 주입 모델링 : 완전 역동 손상 모델 ( Three-Dimensional Monte CArlo Modeling of Ion Implantation Into Crystalline Silicon : Full Dynamic DAmage Model )
손명식 ,  송영진 ,  황호정 대한전자공학회 학술대회 1996.11 학술대회자료
Monte Carlo Calculation of Implanted Boron and its Generating Point Defect Distributions in Crystalline Silicon
손명식 ,  이준하 ,  변기량 외 1명 대한전자공학회 학술대회 1996.01 학술대회자료

1995

Monte Carlo 시뮬레이션을 이용한 단결정 실리콘에서의 이온 주입 불순물 농도 분포 및 점결함 분포의 계산
손명식 ,  이준하 ,  변기량 외 1명 대한전자공학회 학술대회 1995.12 학술대회자료
Monte Carlo 시뮬레이션을 이용한 단결정 실리콘에서 이온주입 불순물 농도 분포 및 점결함 분포의 계산 ( Monte Carlo Calculation of particle and Point Defect Distributions for Ion-Implanted Dopant in Crystalline Silicon )
손명식 ,  이준하 ,  변기량 외 1명 대한전자공학회 학술대회 1995.11 학술대회자료
< 100 > 방향 실리콘 단결정에서의 저 에너지 붕소 이온 주입 공정에 대한 3차원 몬테 카를로 시뮬레이션 및 마스크 효과 ( Three-dimensional Monte Carlo Simulation and Mask Effect of Low-Energy Boron Ion Implantation into < 100 > Single-Crystal Silicon )
손명식 ,  이준하 ,  송영진 외 1명 전자공학회논문지-A 1995.08 학술저널
저 에너지 Boron 이온 주입 공정에 대한 3차원 Monte Carlo 시뮬레이션
손명식 ,  권오근 ,  이준하 외 2명 대한전자공학회 학술대회 1995.01 학술대회자료

1994

단결정 실리콘 <100> 에서의 저 에너지 Born 주입을 위한 3차원 Monte Carlo 시뮬레이션
손명식 ,  이준하 ,  박화식 외 1명 대한전자공학회 학술대회 1994.11 학술대회자료
단결정 실리콘 < 100 > 에서의 저 에너지 Boron 주입을 위한 3차원 Monte Carlo 시뮬레이션 ( A Three-dimensional Monte Carlo simulation of Low-Energy Boron implantation into < 100 > single-Crystal silicon )
손명식 ,  이준하 ,  박화식 외 1명 대한전자공학회 학술대회 1994.11 학술대회자료

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목차

Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. TRICSI 코드의 결함 모델링
Ⅲ. 연속 이온 주입 공정 모델링
Ⅳ. 시뮬레이션 결과 및 분석
Ⅴ. 결론
참고문헌

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