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장우진 (한국전자통신연구원) 김정진 (전북대학교) 배성범 (한국전자통신연구원) 박영락 (한국전자통신연구원) 문재경 (한국전자통신연구원) 고상춘 (한국전자통신연구원)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2015년도 대한전자공학회 하계종합학술대회
발행연도
2015.6
수록면
326 - 329 (4page)

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This paper presents various field plates (FPs) fabricated on GaN Field Effect Transistors (FETs) using AlGaN/GaN on sapphire substrates. GaN FETs with six different FPs were fabricated to compare with their FPs and lengths of FPs in terms of their breakdown voltage characteristics. The fabricated GaN FET with the gamma-shaped gate FP exhibited a breakdown voltage of 1190 V for a gate-to-drain spacing of 15㎛, while the GaN FET without any FP (a planar gate) showed a breakdown voltage of 1050 V for the same gate-to-drain spacing. For the GaN FETs with 10㎛ gate-to-drain spacing and gamma-shaped gate FPs, they were varied 0~2 ㎛ in the length of the gamma-shaped gate FPs and the GaN FET with 0.5㎛-length gamma-shaped gate FP showed more 50~140 V than the others. And in another processed wafer, the GaN FET with the source FP and the gamma-shaped FP together had a breakdown voltage of 1480 V more than 870 V with only the source FP for a gate-to-drain spacing of 16㎛.

목차

Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 다양한 필드 프레이트 구조
Ⅲ. 필드 플레이트 구조별 모의실험
Ⅳ. 다양한 필드 플레이트를 적용한 GaN FET 소자 제작 및 측정
Ⅴ. 결론
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