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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
Yan Li (Beijing Jiaotong University) Trillion Q. Zheng (Beijing Jiaotong University) Yajing Zhang (Beijing Jiaotong University) Meiting Cui (Beijing Jiaotong University) Yang Han (Beijing Corona Science & Technology) Wei Dou (Beijing Corona Science & Technology)
저널정보
전력전자학회 JOURNAL OF POWER ELECTRONICS JOURNAL OF POWER ELECTRONICS Vol.16 No.1
발행연도
2016.1
수록면
84 - 92 (9page)

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Compared with Si MOSFETs, the GaN FET has many advantages in a wide band gap, high saturation drift velocity, high critical breakdown field, etc. This paper compares the electrical properties of GaN FETs and Si MOSFETs. The soft-switching condition and power loss analysis in a flyback-forward high gain DC/DC converter with a GaN FET is presented in detail. In addition, a comparison between GaN diodes and Si diodes is made. Finally, a 200W GaN FET based flyback-forward high gain DC/DC converter is established, and experimental results verify that the GaN FET is superior to the Si MOSFET in terms of switching characteristics and efficiency. They also show that the GaN diode is better than the Si diode when it comes to reverse recovery characteristics.
#EPC #Flyback-forward #GaN FET #GaN Schottky diode #High gain #Loss analysis

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. STRUCTURE AND CHARACTERISTICS OF THE GAN FET
III. TOPOLOGY ANALYSIS AND SIMULATION RESULTS OF FLYBACK-FORWARD HIGH GAIN DC/DC CONVERTERS
IV. DEVICE SELECTION AND LOSS ANALYSIS OF THE GAN FET BASED FLYBACK-FORWARD HIGH GAIN DC/DC CONVERTER
V. EXPERIMENTAL RESULTS OF THE GAN FET BASED FLYBACK-FORWARD HIGH GAIN DC/DC CONVERTER
VI. CONCLUSION
REFERENCES

참고문헌 (18)

참고문헌 신청
[단행본] - A. Lidow / 2012 / GaN transistors for efficient power conversion / Power Conversion Publications google schola [기타자료] - K. S. Boutros / 2012 / Gan power electronics for automotive application / Energytech : 1 ~ 4 google schola [학술대회논문] - T. Morita / 2011 / 99. 3gan-based gate injection transistors / Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC) : 481 ~ 484 google schola [학술대회논문] - S. Tamura / 2010 / Recent advances in gan power switching devices / Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium(CSICS) : 1 ~ 4 google schola [학술대회논문] - M. J. Scott / 2013 / Applications of Gallium Nitride in power electronics / Power and Energy Conference at Illinois(PECI) : 1 ~ 7 google schola

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