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논문 기본 정보
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- 학술대회자료
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 ITC-CSCC :International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications ITC-CSCC 2015
- 발행연도
- 2015.6
- 수록면
- 435 - 438 (4page)
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An efficient Cockcroft-Walton type charge pump (CP) is proposed in this paper. In the proposed charge pump, to overcome the reverse current problem, a level shift control circuit is used, which would increase the efficiency. The CP is verified by circuit simulation, using a standard 0.18μm CMOS process. The simulation results indicate that the voltage boosting efficiency of the charge pump is 99.1% when the load current is 1μA while the conventional circuit drops to 96.7%. The power efficiency of the proposed circuit is 85.4% when the load current is 100μA without the stray capacitance.
목차
Abstract
1. Introduction
2. Proposed charge pump
3. Simulation results
4. Conclusions
References
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