Gate Driving Method for Synchronous Rectifiers in Phase-Shifted Full-Bridge Converter

Jae-Il Baek; Chong-Eun Kim; Jae-Bum Lee; Han-Shin Youn; Gun-Woo Moon

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저자정보: Jae-Il Baek (KAIST) Chong-Eun Kim (Samsung Electro-Mechanics Company) Jae-Bum Lee (KAIST) Han-Shin Youn (KAIST) Gun-Woo Moon (KAIST)

저널정보: 전력전자학회 ICPE(ISPE)논문집 ICPE 2015-ECCE Asia

발행연도: 2015.6

수록면: 753 - 758 (6page)

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In high output current applications such as server power system, a phase-shifted full-bridge (PSFB) converter uses parallel connected power MOSFETs in synchronous rectifiers to reduce secondary conduction loss. However, it causes large gate driving loss. Therefore, this paper proposes a simple synchronous rectifiers (SRs) gate driving method for the PSFB converter. The proposed method reduces the supply voltage of SRs gate driver with a conventional input resistor and capacitor of SRs gate driver during the overlapping time of OR-gated signals in SRs. Therefore, without additional components and control techniques, the proposed method can significantly reduce the gate driving loss on SRs especially in light load conditions. The validity of the proposed method is confirmed by experimental results from a prototype with 400V input and 750W/12V output.

#Gate driving method #phase-shifted fullbridge (PSFB) converter #server power system #synchronous rectifiers (SRs) control

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