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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
안자현 (한국외국어대학교) 이성현 (한국외국어대학교)
저널정보
대한전자공학회 전자공학회논문지 전자공학회논문지 제52권 제9호
발행연도
2015.9
수록면
21 - 27 (7page)

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High resistivity(HR) silicon-on-insulator(SOI) RF CMOS 공정 인덕터의 모델 파라미터를 정확히 결정하기 위하여 직접 추출과 simultaneous optimization을 사용한 개선된 방법을 개발하였다. 먼저, 대칭형 인덕터와 센터탭이 접지된 대칭형 인덕터 등가회로들의 Y 및 Z-파라미터 방정식 유도를 통해 일부 모델 파라미터들을 직접 추출하고, 병렬 저항과 전체 인덕턴스 방정식들로 미지 변수들을 줄여 모델링 정확도를 향상시켰다. 또한, 두 등가회로의 동일한 모델 파라미터들을 공통 변수로 두고 S-파라미터 데이터 세트를 동시에 optimization함으로써 optimization 정확도를 크게 향상시켰다.

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 모델 파라미터 직접추출
Ⅲ. 개선된 Optimization
Ⅳ. 모델 검증
Ⅴ. 결론
REFERENCES

참고문헌 (10)

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