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김현호 지광선 (LG전자 기술원) 배수현 (고려대학교) 이경동 (고려대학교) 김성탁 (고려대학교) 박효민 (고려대학교) 이헌민 (LG전자 기술원) 강윤묵 (고려대학교) 이해석 (고려대학교) 김동환 (고려대학교)
저널정보
한국태양광발전학회 Current Photovoltaic Research Current Photovoltaic Research (CPVR) Vol.3 No.3
발행연도
2015.9
수록면
80 - 84 (5page)

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We suggest new emitter formation method using solid-phase epitaxy (SPE); solid-phase epitaxy emitter (SEE). This method expect simplification and cost reduction of process compared with furnace process (POCl3 or BBr3) . The solid-phase epitaxy emitter (SEE) deposited a-Si:H layer by radio-frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition (RF-PECVD) on substrate (c-Si), then thin layer growth solid-phase epitaxy (SPE) using rapid thermal process (RTP). This is possible in various emitter profile formation through dopant gas (PH<SUB>3</SUB>) control at deposited a-Si:H layer. We fabricated solar cell to apply solid-phase epitaxy emitter (SEE). Its performance have an effect on crystallinity of phase transition layer (a-Si to c-Si). We confirmed crystallinity of this with a-Si:H layer thickness and annealing temperature by using raman spectroscopy, spectroscopic ellipsometry and transmission electron microscope. The crystallinity is excellent as the thickness of a-Si layer is thin (~50 nm) and annealing temperature is high (<900°C). We fabricated a 16.7% solid-phase epitaxy emitter (SEE) cell. We anticipate its performance improvement applying thin tunnel oxide (<2nm).
#Solid-phase epitaxy #Crystallization #Rapid thermal process #Emitter #Silicon solar cell

목차

ABSTRACT
1. 서론
2. 실험방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
References

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