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자료유형
학술저널
저자정보
박정철 (가천대학교) 추순남 (가천대학교)
저널정보
대한전기학회 전기학회논문지 P 전기학회논문지 제64P권 제4호
발행연도
2015.12
수록면
277 - 280 (4page)

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In this paper, we have studied the surface property and transmittance of n- and p-type thin film deposited on ITO substrate. In n-type samples, the average particle size was large and uniform as RF power was increased, and the best results were shown at the condition of the temperature of 300℃ and 200 W of RF power. The transmittance of the sample deposited for 20 minutes was 74.82% and the light wave was increased to 800 nm. In p-type samples, the results were 71.21% and 789 nm at the deposition condition of the RF power of 250 W and the temperature of 250℃.
#ITO substrate #RF power #Transmittance #Temperature

목차

Abstract
1. 서론
2. 본론
3. 결론
References

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