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학술저널
저자정보
박석준 (한국과학기술정보연구원) 최성배 (한국과학기술정보연구원) 오창섭 (한국과학기술정보연구원)
저널정보
한국에너지학회 에너지공학 에너지 공학 제25권 제1호(통권 제85호)
발행연도
2016.3
수록면
192 - 197 (6page)

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새로운 재료가 개발되어 점점 반도체 디바이스의 적용으로 인해 반도체 장치 구조의 미세화를 촉진하고 있고 반도체 디바이스의 제조공정에서는 초기불량이나 일정시간 가동 후의 고장이 끊이지 않고 발생하고 있어 그 결함에 대한 해석은 날이 갈수록 중요해지고 있다. 여기서는 반도체 디바이스의 전기적 고장 검출과 디바이스 결함부의 물리해석에 대해 서술한다. 물리해석에는 주사전자현미경이나 투과전자현미경, 집속이온빔가공장치와 같은 전자나 이온을 이용한 장치가 사용되는데 여기서는 그 사용기술과 특성에 대해 서술하고자 한다.
#반도체 디바이스 #반도체 결함해석 #주사전자현미경 #투과전자현미경 #집속이온빔 #semiconductor device #fault analysis of semiconductor #SEM #TEM #FIB.

목차

요약
Abstract
1. 서론
2. 고장위치의 특정
3. 시료제작
4. 결함해석 장치와 해석법
5. 결론
References

참고문헌 (8)

참고문헌 신청
Y. Mitsui etc. Ext. Abst. IEDM, (1988) 329-332 google schola K. Nikawa: IEICE Trans. Electron., vol.E85-C, 3(2002),746-751 google schola Konno Takashi etc. "LSI Testing Symposium 2002 report" (2002), 189-194 google schola Konno Takashi etc. "LSI Testing Symposium 2003 report" (2002), 61-66 google schola Hatano Masakastu etc. "LSI Testing Symposium 2004 report" (2004) 335-340 google schola

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