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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
Ju Hee Choi (Seoul National University) Jong Wook Kwak (Yeungnam University)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.16 No.3
발행연도
2016.6
수록면
330 - 338 (9page)

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Phase change memory (PCM) has been studied as an emerging memory technology for last-level cache (LLC) due to its extremely low leakage. However, it consumes high levels of energy in updating cells and its write endurance is limited. To relieve the write pressure of LLC, we propose a delta value indicator (DVI) by employing a small cache which stores the difference between the value currently stored and the value newly loaded. Since the write energy consumption of the small cache is less than the LLC, the energy consumption is reduced by access to the small cache instead of the LLC. In addition, the lifetime of the LLC is further extended because the number of write accesses to the LLC is decreased. To this end, a delta value indicator and controlling circuits are inserted into the LLC. The simulation results show a 26.8% saving of dynamic energy consumption and a 31.7% lifetime extension compared to a state-of-the-art scheme for PCM.

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. RELATED WORK
II. MOTIVATION
III. DELTA VALUE CACHE
IV. SIMULATION RESULTS
V. CONCLUSIONS
REFERENCES

참고문헌 (18)

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