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저자정보
ZHONG XIAOLE (충북대학교) 최성열 (충북대학교) 김영석 (충북대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2016년도 대한전자공학회 하계종합학술대회
발행연도
2016.6
수록면
404 - 407 (4page)

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The increase of integration and power density make over current and over temperature protection circuits necessary. A low-dropout regulator (LDO) with protection circuits is designed based on traditional structures of LDO. Over current protection circuits convert the detecting current into the gate voltage which controls the switch MOSFET. Using the temperature characteristic of Bipolar Junction Transistor(BJT) conducting voltage, over temperature protection circuits can invert the comparator and protect the whole chip. The circuits is designed based on 0.18㎛ CMOS technology. The LDO input voltage is 1.8 V, and the output voltage is 1.3 V, the maximum output current is 10mA.

목차

Abstract
I. 서론
II. 제안하는 LDO 레귤레이터 설계
III. 실험결과
IV. 결론
참고문헌

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