Sampling-based Block Erase Table in Wear Leveling Technique for Flash Memory

Seon Hwan Kim; Jong Wook Kwak

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자료유형: 학술저널

저자정보: Seon Hwan Kim (Yeungnam University) Jong Wook Kwak (Yeungnam University)

저널정보: 한국컴퓨터정보학회 한국컴퓨터정보학회논문지 한국컴퓨터정보학회 논문지 제22권 제5호(통권 제158호)

발행연도: 2017.5

수록면: 1 - 9 (9page)

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Recently, flash memory has been in a great demand from embedded system sectors for storage devices. However, program/erase (P/E) cycles per block are limited on flash memory. For the limited number of P/E cycles, many wear leveling techniques are studied. They prolonged the life time of flash memory using information tables. As one of the techniques, block erase table (BET) method using a bit array table was studied for embedded devices. However, it has a disadvantage in that performance of wear leveling is sharply low, when the consumption of memory is reduced. To solve this problem, we propose a novel wear leveling technique using Sampling-based Block Erase Table (SBET). SBET relates one bit of the bit array table to each block by using exclusive OR operation with round robin function. Accordingly, SBET enhances accuracy of cold block information and can prevent to decrease the performance of wear leveling. In our experiment, SBET prolongs life time of flash memory by up to 88%, compared with previous techniques which use a bit array table.

#Flash Memory #Wear Leveling #Storage Device #Block Erase Table #Round Robin

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[학술지(정기간행물)] - Lawton, George / 2006 / Improved flash memory grows in popularity / Computer, IEEE 39 (1) : 16 ~ 18

[학술지(정기간행물)] - Kwon, Se Jin / 2011 / FTL algorithms for NAND-type flash memories / Design Automation for Embedded Systems 15 (3-4) : 191 ~ 224

[학술지(정기간행물)] - Chung, Tae-Sun / 2009 / A survey of flash translation layer / Journal of Systems Architecture 55 (5) : 332 ~ 343

[학술지(정기간행물)] - Ma, Dongzhe / 2014 / A survey of address translation technologies for flash memories / ACM Computing Surveys (CSUR) 46 (3) : 1 ~ 39

[학술지(정기간행물)] - Lee, Sungjin / 2014 / Improving Performance and Capacity of Flash Storage Devices by Exploiting Heterogeneity of MLC Flash Memory / Computers, IEEE Transactions 63 (10) : 2445 ~ 2458

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