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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2017.12
- 수록면
- 558 - 569 (12page)
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본 논문에서는 MCU 내장형 1.5V 단일전원 256Kb EEPROM IP는 배터리 응용을 위해 설계되었다. 기존의 body-potential 바이어싱 회로를 사용하는 cross-coupled VPP (Boosted Voltage) 전하펌프회로는 erase와 program 모드에서 빠져나올 때 5V cross-coupled PMOS 소자에 8.53V의 고전압이 걸리면서 junction breakdown이나 gate oxide breakdown에 의해 소자가 파괴될 수 있다. 그래서 본 논문에서는 cross-coupled 전하펌프회로의 출력 노드는 VDD로 프리차징시키는 동시에 펌핑 노드들을 각 펌핑 단의 입력전압으로 프리차징하므로 5V PMOS 소자에 5.5V 이상의 고전압이 걸리지 않도록 하므로 breakdown이 일어나는 것을 방지하였다. 한편 256Kb을 erase하거나 program하는 시간을 줄이기 위해 all erase, even program, odd program과 all program 모드를 지원하고 있다. 또한 cell disturb 테스트 시간을 줄이기 위해 cell disturb 테스트 모드를 이용하여 256Kb EEPROM 셀의 disturb를 한꺼번에 인가하므로 disturb 테스트 시간을 줄였다. 마지막으로 이 논문에서는 erase-verify-read 모드에서 40ns의 cycle 시간을 만족하기 위해 CG disable 시간이 빠른 CG 구동회로는 새롭게 제안되었다.
목차
요약
Abstract
1. 서론
2. 1.5V 256Kb EEPROM IP 설계
3. 레이아웃 및 모의실험 결과
4. 결론
REFERENCES
참고문헌 (12)
참고문헌 신청
[학술대회논문] - S. Kawai / 2008 / An 8kB EEPROM-Emulation Data FLASH Module for Automotive MCU / IEEE International Solid-State Circuits Conference : 508 ~ 509
[학술지(정기간행물)] - 조규삼 / 2009 / 터치스크린 컨트롤러용 저면적, 저전력, 고속 128Kb EEPROM IP 설계 / 한국정보통신학회논문지 13 (12) : 2633 ~ 2640
[학술대회논문] - M. Hatanaka / 2007 / Value Creation in SOC/MCU Applications by Embedded Non-Volatile Memory Evolutions / Asian Solid-State Circuits Conference : 38 ~ 42
[학술지(정기간행물)] - 김용호 / 2015 / MCU용 Fast 256Kb EEPROM 설계 / 한국정보통신학회논문지 19 (3) : 567 ~ 574
[학술지(정기간행물)] - A. Conte / 2005 / A High-Performance very Low-Voltage Current Sense Amplifier for Nonvolatile Memories / IEEE Journal of Solid-State Circuits 40 (2) : 507 ~ 514
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