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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2020.2
- 수록면
- 48 - 57 (10page)
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Wireless charger, USB type-C 등의 응용에서 사용되는 MCU는 추가 공정 마스크가 작으면서 셀 사이즈가 작은 MTP 메모리가 요구된다. 기존의 double poly EEPROM 셀은 사이즈가 작지만 3~5 장 정도의 추가 공정 마스크가 요구되고, FN 터널링 방식의 single poly EEPROM 셀은 셀 사이즈가 큰 단점이 있다. 본 논문에서는 vertical PIP 커패시터를 사용한 110nm MTP 셀을 제안하였다. 제안된 MTP 셀의 erase 동작은 FG와 EG 사이의 FN 터널링을 이용하였고 프로그램 동작은 CHEI 주입 방식을 사용하므로 MTP 셀 어레이의 PW을 공유하여 MTP 셀 사이즈를 1.09㎛2으로 줄였다. 한편 USB type-C 등의 응용에서 요구되는 MTP 메모리 IP는 2.5V ~ 5.5V의 넓은 전압 범위에서 동작하는 것이 필요하다. 그런데 VPP 전하펌프의 펌핑 전류는 VCC 전압이 최소인 2.5V일 때 가장 낮은 반면, 리플전압은 VCC 전압이 5.5V일 때 크게 나타난다. 그래서 본 논문에서는 VCC detector 회로를 사용하여 ON되는 전하펌프의 개수를 제어하여 VCC가 높아지더라도 펌핑 전류를 최대 474.6㎂로 억제하므로 SPICE 모의실험을 통해 VPP 리플 전압을 0.19V 이내로 줄였다.
목차
요약
Abstract
1. 서론
2. 회로 설계
3. 모의실험 결과
4. 결론
REFERENCES
참고문헌 (15)
참고문헌 신청
F. Xu / 2004 / Key Design Techniques of A 40ns 16K Bits Embedded EEPROM Memory / 2004 International Conference on Communications, Circuits and Systems 2:1516~1520
A. Conte / 2005 / A High-Performance Very Low-Voltage Current Sense Amplifier for Nonvolatile Memory / IEEE J. Solid-State Circuits 40(2):507~514
H. Hidaka / 2017 / Embedded Flash Memory for Embedded Systems: Technology, Deign for Sub-systems, and Innovations / Springer International Publishing
M. Hatanaka / 2007 / Value Creation in SOC/MCU Applications by Embedded Non-Volatile Memory Evolutions / Asian Solid State Circuits Conference :38~42
조규삼 / 2009 / 터치스크린 컨트롤러용 저면적, 저전력, 고속 128Kb EEPROM IP 설계 / 한국정보통신학회논문지 13(12):2633~2640
A. Conte / 2005 / A High-Performance Very Low-Voltage Current Sense Amplifier for Nonvolatile Memory / IEEE J. Solid-State Circuits 40(2):507~514
H. Hidaka / 2017 / Embedded Flash Memory for Embedded Systems: Technology, Deign for Sub-systems, and Innovations / Springer International Publishing
M. Hatanaka / 2007 / Value Creation in SOC/MCU Applications by Embedded Non-Volatile Memory Evolutions / Asian Solid State Circuits Conference :38~42
조규삼 / 2009 / 터치스크린 컨트롤러용 저면적, 저전력, 고속 128Kb EEPROM IP 설계 / 한국정보통신학회논문지 13(12):2633~2640
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