메뉴 건너뛰기
.. 내서재 .. 알림
소속 기관/학교 인증
인증하면 논문, 학술자료 등을  무료로 열람할 수 있어요.
한국대학교, 누리자동차, 시립도서관 등 나의 기관을 확인해보세요
(국내 대학 90% 이상 구독 중)
로그인 회원가입 고객센터 ENG
주제분류

추천
검색
질문

논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
이명복 (광주대학교)
저널정보
대한전기학회 전기학회논문지 전기학회논문지 제67권 제4호
발행연도
2018.4
수록면
543 - 548 (6page)

이용수

표지
📌
연구주제
📖
연구배경
🔬
연구방법
🏆
연구결과
AI에게 요청하기
추천
검색
질문

초록· 키워드

오류제보하기
Ferroelectric Bi₄Ti₃O<SUB>12</SUB> films were deposited on SrTiO₃(100) and Si(100) substrate by using conductive SrRuO3 films as underlayer, and their ferroelectric and electrical properties were investigated depending on crystal structure and orientation. C-axis oriented Bi₄Ti₃O<SUB>12</SUB> films were grown on well lattice-matched pseudo-cubic SrRuO3 films deposited on SrTiO₃(100) substrate, while random-oriented polycrystalline Bi₄Ti₃O<SUB>12</SUB> films were grown on SrRuO3 films deposited on Si(100) substrate. The random-oriented polycrystalline film showed a good ferroelectric hysteresis property with remanent polarization (Pr) of 9.4 μC/㎠ and coercive field (Ec) of 84.9 ㎸/㎝, while the c-axis oriented film showed Pr=0.64 μC/㎠ and Ec=47 ㎸/㎝ in polarizaion vs electric field curve. The c-axis oriented Bi₄Ti₃O<SUB>12</SUB> film showed a dielectric constant of about 150 and lower thickness dependence in dielectric constant compared to the random-oriented film. Furthermore, the c-axis oriented Bi₄Ti₃O<SUB>12</SUB> film showed leakage current lower than that of the polycrystalline film. The difference of ferroelectric properties in two films was explained from the viewpoint of depolarization effect due to orientation of spontaneous polarization and layered crystal structure of bismuth-base ferroelectric oxide.

목차

Abstract
1. 서론
2. 실험 방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
References

참고문헌 (15)

참고문헌 신청

함께 읽어보면 좋을 논문

논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!

이 논문의 저자 정보

이 논문과 함께 이용한 논문

최근 본 자료

전체보기

댓글(0)

0

UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2018-560-001869038