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The Na low temperature gettering in SiO₂/PSG/SiO₂/Al-1%Si and SiO₂/TEOS/SiO₂/Al-1%Si multilevel thin films was investigated using dynamic SIMS(secondary ion mass spectrometry) analysis. DC magnetron sputter, APCVD and PECVD techniques were utilized for the deposition of Al-1%Si thin films, SiO₂/PSG/SiO₂ and SiO₂/TEOS/SiO₂ passivations, respectively. Heat treatment was carried out at 300℃ for 5 h in air. SIMS depth profiling was used to determine the distribution of Na, Al, Si and other elements throughout the SiO₂/PSG/SiO₂/Al-1%Si and SiO2/TEOS/SiO2/Al-1%Si multilevel thin films. XPS was used to analyze chemical states of Si and O elements in SiO₂ passivation layers. Na peaks were observed throughout the PSG/SiO₂ and TEOS/SiO₂ passivation layers on the Al-1%Si thin films and especially at the interfaces. Na low temperature gettering in SiO₂/PSG/SiO₂/Al-1%Si and SiO₂/TEOS/SiO₂/Al-1%Si multilevel thin films is considered to be caused by a segregation type of gettering.
목차
Abstract
1. 서론
2. 실험
3. 결과 및 고찰
4. 결론
References
참고문헌 (11)
참고문헌 신청
G. Kissinger, D. Kot, M. Klingsporn, M. Schubert, A. Sattler, and T. Muller, Investigation of the copper gettering mechanism of oxide precipitates in silicon, ESC J. Solid State Sci. and Technol., 4 (2015) N124-N129.
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