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Hyun-Seop Kim (Hongik University) Won-Ho Jang (Hongik University) Su-Keun Eom (Seoul National University) Sang-Woo Han (Hongik University) Hyungtak Kim (Hongik University) Kwang-Seok Seo (Seoul National University) Chun-Hyung Cho (Hongik University) Ho-Young Cha (Hongik University)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.18 No.2
발행연도
2018.4
수록면
187 - 192 (6page)
DOI
10.5573/JSTS.2018.18.2.187

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We have investigated the interface fixed charge density and the oxide bulk charge density of the metal/PECVD SiO₂/recessed GaN MOS structure. The fabricated AlGaN/GaN-on-Si recessed MOSHFETs exhibited the excellent on/off ratio characteristics. The extracted effective interface fixed charge density and effective oxide bulk charge density for the PECVD SiO₂ deposited on the recessed GaN surface were -5.94 × 10<SUP>11 </SUP>cm<SUP>-2</SUP> and -2.19 × 10<SUP>17</SUP> cm<SUP>-3</SUP>, respectively. The negative bulk charges in the SiO₂ layer were responsible for the positive shift in the threshold voltage as the SiO₂ thickness increased.
#AlGaN/GaN MOS-HFETs #PECVD #flat-band voltage #SiO₂

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. DEVICE STRUCTURE AND FABRICATION
III. RESULT AND DISCUSSION
IV. CONCLUSIONS
REFERENCES

참고문헌 (22)

참고문헌 신청
J.-G. Lee et al., “State-of-Art AlGaN/GAN-on-Si Heterojunction Field Effect Transistors with Dual Field Plates,” Applied Physics Express, Vol. 5, No. 6, p. 066502, Jun., 2012. S.-W. Han et al., “Dynamic On-Resistance of Normally-Off Recessed AlGaN/GaN-on-Si Metal- Oxide-Semiconductor Heterojunction Field-Effect Transistor,” Applied Physics Express, Vol. 7, No. 11, p. 111002, Nov., 2014. W. Saito et al., “High Breakdown Voltage AlGaNGaN Power-HEMT Design and High Current Density Switching Behavior,” IEEE Transcations on Electron Devices, Vol. 50, No. 12, pp. 2528- 2531, Dec., 2003. O. Ambacher et al., “Two Dimensional Electron Gases Induced by Spontaneous and Piezoelectric Polarization in Undoped and Doped AlGaN/GaN Heterostructures,” Journal of Applied Physics, Vol. 87, No. 1, pp. 334-344, Jan., 2000. S. Huang et al., “Threshold Voltage Instability in Al2O3/GaN/AlGaN/GaN Metal-Insulator-Semiconductor High-Electron Mobility Transistors,” Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 50, No. 11R, p. 110202, Nov., 2011.

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