High-performance Recessed-channel Reconfigurable Field-effect Transistor using Si-Ge Heterojunction

Sangwook Kim; Sangwan Kim

doi:10.5573/JSTS.2018.18.3.392

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자료유형: 학술저널

저자정보: Sangwook Kim (University of California) Sangwan Kim (Ajou University)

저널정보: 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.18 No.3

발행연도: 2018.6

수록면: 392 - 395 (4page)

DOI: 10.5573/JSTS.2018.18.3.392

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A novel strategy is introduced, herein, for the better current drivability (ION) of recessedchannel reconfigurable field-effect transistor (RCRFET) maintaining low-level off-state leakage current (IOFF). A proposed Si-Ge heterojunction RCRFET features ultra-thin Ge layer selectively grown on source/drain contacts. Thus, Schottky barrier height is reduced while Shockley-Read-Hall recombination and band-to-band tunneling leakages are efficiently suppressed. The optimized Si-Ge heterojunction RC-RFET shows ×25 and ×102 better ION/IOFF for n- and p-FETs than that of Si homojunction ones, respectively.

#Reconfigurable FET #heterojunction #logic devices #logic functionality #Moore's law

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I. Ferain, C. A. Colinge, and J. P. Colinge, “Multigate transistors as the future of classical metal-oxide-semiconductor field-effect transistors,” Nature, Vol. 479, No. 7373, pp. 310-316, Nov. 2011. J. Trommer, A. Heinzig, T. Baldauf, S. Slesazeck, T. Mikolajick, and W. M. Weber, “Functionalityenhanced logic gate design enabled by symmetrical reconfigurable silicon nanowire transistors,” IEEE Trans. Nanotechnol., Vol. 14, No. 4, pp. 689-698, Jul. 2015. Y. F. Lin, Y. Xu, S. T. Wang, S. L. Li, M. Yamamoto, A. Aparecido-Ferreira, W. Li, H. Sun, S. Nakaharai, W. B. Jian, and K. Ueno, “Ambipolar MoTe2 transistors and their applications in logic circuits,” Adv. Mater., Vol. 26, No. 20, pp. 3263- 3269, Apr. 2014. A. Heinzig, T. Mikolajick, J. Trommer, D. Grimm, W. M. Weber, “Dually active silicon nanowire transistors and circuits with equal electron and hole transport,” Nano Lett., Vol. 13, No. 9, pp. 4176- 4181, Sep. 2013. A. Javey, R. Tu, D. B. Farmer, J. Guo, R. G. Gordon, and H. Dai, “High performance n-type carbon nanotube field-effect transistors with chemically doped contacts,” Nano Lett., Vol. 5, No. 2, pp. 345-348, Feb. 2005.

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