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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
박우성 (국방과학연구소) 안준은 (국방과학연구소)
저널정보
대한기계학회 대한기계학회 논문집 B권 대한기계학회논문집 B권 제42권 제7호(통권 제394호)
발행연도
2018.7
수록면
475 - 478 (4page)
DOI
10.3795/KSME-B.2018.42.7.475

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2018

고종횡비 구조물의 정밀 제작을 위한 DRIE 식각 마스크
박우성 ,  안준은 대한기계학회 논문집 B권 2018.07 학술저널

2017

고종횡비 구조물의 정밀 제작을 위한 DRIE 식각 마스크
박우성 ,  안준은 대한기계학회 춘추학술대회 2017.11 학술대회자료

초록· 키워드

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본 논문은 큰 잔류응력의 증가 없이 고종횡비의 정밀 구조물을 제작하기 위해 deep-reactive ion etching(DRIE)의 식각 마스크(etch mask)로 감광수지(photoresist, PR)와 산화실리콘(silicon oxide)을 함께 선택적으로 적용한 제작 공정에 대해 다룬다. 제안되는 식각 마스크의 제작은 두 단계로 나뉘는데, 먼저 관성센서에서 픽오프(pick-off)와 같이 구조물에서 중요한 부분을 산화실리콘으로 형성하고, 이어 표준질량(proof mass)과 같이 상대적으로 형상의 정밀도가 덜 중요한 부분을 PR을 이용해 형성된다. DRIE 공정이후 두 재료의 마스크는 함께 제거된다. 이러한 2종류의 식각 마스크를 적용하여 제작된 디바이스는 기존의 산화실리콘 마스크나 PR 마스크만을 이용해 제작된 디바이스에 비해 각각 상대적으로 감소된 잔류응력과 향상된 패턴 정밀도를 보였다.
#Deep-reactive Ion Etching(DRIE) #Etch Mask(식각 마스크) #High-aspect-ratio(고종횡비) #Residual Stress(잔류응력)

목차

초록
Abstract
1. 서론
2. 제작
3. 실험
4. 결론
참고문헌(References)

참고문헌 (6)

참고문헌 신청
Wu, B., Kumar, A. and Pamarthy, S., 2010, “High Aspect Ratio Silicon Etch: A Review,” Journal of Applied Physics, 108, 051101. Laermer, F. and Schilp, A., 1993, Method of Anisotropically Etching Silicon, US Patent, US 5,501,983 A. MicroChemicals GmbH, 2010, “Dry Etching with Photoresist Masks,” Website: http://www.microchemicals.eu/ technical_information Park, U., Rhim, J., Jeon, J. U. and Kim, J., 2014, “A Micromachined Differential Resonant Accelerometer Based on Robust Structural Design,” Microelectronic Engineering, Vol. 129, pp. 5~11. Park, U., An, J. E. and Yoon, S., 2017, “Improvement of Bonding Strength Uniformity in Silicon-on-glass Process by Anchor Design,” Trans. Korean Soc. Mech. Eng. B, Vol. 41, No. 6, pp. 423~427.

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