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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2018.3
- 수록면
- 209 - 212 (4page)
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본 논문에서는 P(VDF-TrFE)유기물 강유전체 기반 metal-ferroelectric-metal (MFM) capacitor 와 차세대 반도체 물질인 질화갈륨 반도체를 활용한 네거티브 커패시턴스 전계효과 트랜지스터를 제작 및 분석 하였다. 27 nm의 두께의 P(VDF-TrFE) MFM 커패시터의 분극지수는 4 MV/cm에서 6 μC/㎠ 값을 나타내었으며 약 65 ~ 95 pF의 커패시턴스 값을 나타내었다. 강유전체의 커패시턴스와 전계효과 트랜지스터의 커패시턴스 매칭을 분석하기 위해 제작된 P(VDF-TrFE) MFM 커패시터는 GaN 전계효과 트랜지스터의 게이트 전극에 집적화 되었으며 집적화되기
전 104 mV/dec 의 문턱전압 이하 기울기에서 82 mV/dec 값으로 개선된 효과를 보였다.
전 104 mV/dec 의 문턱전압 이하 기울기에서 82 mV/dec 값으로 개선된 효과를 보였다.
목차
Abstract
요약
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
References
참고문헌 (6)
참고문헌 신청
[인터넷자원] - K. Rupp / 0000 / 40 Years of Microprocessor Trend Data
[학술지(정기간행물)] - A. M. Ionescu / 2011 / Tunnel field-effect transistors as energy-efficient electronic switches / Nature 479 (7373) : 329 ~ 337
[학술대회논문] - C. Auth / 2017 / A 10nm High Performance and Low-Power CMOS Technology Featuring 3rd Generation FinFET Transistors, Self-Aligned Quad Patterning, Contact over Active Gate and Cobalt Local Interconnects / Proceeding of the 2017 IEEE International Electron Devices Meeting : 29.1.1 ~ 29.1.4
[학술지(정기간행물)] - U. Abelein / 2007 / Improved Reliability by Reduction of Hot-Electron Damage in the Vertical Impact-Ionization MOSFET (I-MOS) / IEEE Electron Device Lett. 28 (1) : 65 ~ 67
[학술지(정기간행물)] - J. Jo / 2015 / Negative Capacitance in Organic/Ferroelectric Capacitor to Implement Steep Switching MOS Devices / Nano Lett. 15 (7) : 4553 ~ 4556
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[학술대회논문] - C. Auth / 2017 / A 10nm High Performance and Low-Power CMOS Technology Featuring 3rd Generation FinFET Transistors, Self-Aligned Quad Patterning, Contact over Active Gate and Cobalt Local Interconnects / Proceeding of the 2017 IEEE International Electron Devices Meeting : 29.1.1 ~ 29.1.4
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[학술지(정기간행물)] - J. Jo / 2015 / Negative Capacitance in Organic/Ferroelectric Capacitor to Implement Steep Switching MOS Devices / Nano Lett. 15 (7) : 4553 ~ 4556
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