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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2019.11
- 수록면
- 215 - 218 (4page)
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In this work, we fabricated normally-off FETs using gate recess techniques with extremely low rate dry etching conditions. We report also, a relationship between the V<SUB>th</SUB>-shift and the recess depth under the gate area of FETs on AlGaN/GaN heterostructure. We confirmed also extremely low etching rate of 0.025 nm/s or 1.5 nm/min using Cl₂-based inductively coupled plasma etching process. Devices with different recess depths were fabricated, and determined the dependence of recess depth on V<SUB>th</SUB>-shift. Without any etching-stop layers, it was achieved well targeted and good controlled recess depth under the gate region.
With the extremely low rated dry etching conditions, we fabricated normally-off AlGaN/GaN FETs with high positive V<SUB>th</SUB> of +5.64 V and the off-state leakage current as ~10<SUP>-6</SUP> A/mm.
With the extremely low rated dry etching conditions, we fabricated normally-off AlGaN/GaN FETs with high positive V<SUB>th</SUB> of +5.64 V and the off-state leakage current as ~10<SUP>-6</SUP> A/mm.
목차
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결과 및 분석
Ⅳ. 결론 및 향후 연구 방향
참고문헌
참고문헌 (0)
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