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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.19 No.2
- 발행연도
- 2019.4
- 수록면
- 184 - 189 (6page)
- DOI
- 10.5573/JSTS.2019.19.2.184
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We developed an AlGaN/GaN heterojunction phototransistor with a recessed detection area to enhance the photoresponsivity. The recessed-AlGaN/GaN phototransistor exhibited a maximum photoresponsivity of 1.6 × 107 A/W at 375 ㎚, which was ~30% higher than that obtained with a conventional AlGaN/GaN phototransistor. A comparable photoresponsivity was also achieved at 260 ㎚ in UV-C range due to the dual absorption process in conjunction with the polarization induced built-in electric field characteristics of AlGaN/GaN heterojunction.
목차
Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. DEVICE STRUCTURE AND FABRICATION
Ⅲ. RESULT AND DISCUSSION
Ⅳ. CONCLUSIONS
REFERENCES
참고문헌 (17)
참고문헌 신청
S. Choi et al., “Geiger-mode operation of GaN avalanche photodiodes grown on GaN substrates,” IEEE Photonics Technolgy Letters, Vol. 21, No. 20, pp. 1526?1528, 2009.
D. Walker et al., “AlGaN ultraviolet photoconductors grown on sapphire,” Applied Physics Letters. Vol. 68, pp. 2100, 1996.
Cyril Pernot et al., “Solar-Blind UV Photodetectors Based on GaN/AlGaN p-i-n Photodiodes,” Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 39, Part 2, No. 5A, 2000.
S. Soloviev et al., “UV SiC avalanche photodetectors for photon counting,” IEEE Sensors Journal. pp. 1897?1900, 2009.
J. C. Campbell et al., “Recent advances in avalanche photodiodes,” IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electron. Vol. 10, No. 4, pp. 777?787, 2004.
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Cyril Pernot et al., “Solar-Blind UV Photodetectors Based on GaN/AlGaN p-i-n Photodiodes,” Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 39, Part 2, No. 5A, 2000.
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