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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2018.12
- 수록면
- 1,202 - 1,205 (4page)
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본 논문에서는 4H-SiC물질 기반으로 제작된 ggNMOS를 제안하고 전기적 특성을 분석하였다. 4H-SiC는 Wide Band-gap 물질로 Si 물질 보다 면적대비 특성과 고전압 특성이 뛰어나 전력반도체 분야에 주목받고 있다. 제안된 소자는 높은 감내 특성과 Strong snapback 특성을 가진다. 공정은 SiC 공정으로 이루어 졌으며 TLP 측정 장비를 통해 전기적 특성을 분석하였다.
목차
Abstract
요약
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
References
참고문헌 (4)
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[학술대회논문] - S. Tiwari / 2012 / Silicon carbide power transistors, characterization for smart grid applications / Power Electronics and Motion Control Conference(EPE/PEMC), 2012 15th International : LS6d.2-1 ~ LS6d.2-8
[학술대회논문] - R. Kaplar / 2012 / Characterization and reliability of sic-and ganbased power transistors for renewable energy applications / Energytech, 2012 IEEE : 1 ~ 6
[학술지(정기간행물)] - T. Phulpin / 2014 / Analysis of an ESD failure mechanism on a SiC MESFET / Microelectronics Reliability 54 (10) : 2217 ~ 2221
[학술대회논문] - Fayyaz A / 2012 / Performance and robustness testing of SiC power devices / 6th IET international conference on power electronics, machines and drives (PEMD 2012) : 1 ~ 5
[학술대회논문] - R. Kaplar / 2012 / Characterization and reliability of sic-and ganbased power transistors for renewable energy applications / Energytech, 2012 IEEE : 1 ~ 6
[학술지(정기간행물)] - T. Phulpin / 2014 / Analysis of an ESD failure mechanism on a SiC MESFET / Microelectronics Reliability 54 (10) : 2217 ~ 2221
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