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논문 기본 정보

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학술저널
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박휘근 (금오공과대학교) 박상현 (금오공과대학교) 박인승 (금오공과대학교) 양동호 (금오공과대학교) 차승환 (금오공과대학교) 하병철 (금오공과대학교) 이종찬 (금오공과대학교)
저널정보
한국기계가공학회 한국기계가공학회지 한국기계가공학회지 제17권 제1호
발행연도
2018.2
수록면
16 - 22 (7page)

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Silicon carbide (SiC) is used in various semiconductor processes because it has superior thermal, mechanical, and electrical characteristics as well as higher chemical and corrosion resistance than existing materials. Due to these characteristics, various manufacturing technologies have been developed for SiC. A recent development among these technologies is Chemical Vapor Deposition SiC (CVD-SiC). Many studies have been carried out on the processing and manufacturing of CVD-SiC due to its different material characteristics compared to existing materials like RB-SiC or Sintered-SiC. CVD-SiC is physically stable and has excellent chemical and corrosion resistance. However, there is a problem with increasing the thickness, because it is manufactured through a deposition process. Additionally, due to its high strength and hardness, it is difficult to subject to machining.

목차

ABSTRACT
1. 서론
2. 실험장치 및 조건
3. 실험결과 및 고찰
4. 결론
REFERENCES

참고문헌 (6)

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