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Ki-Bum Park (ABB Corporate Research) Ralph M. Burkart (ABB Corporate Research) Bruno Agostini (ABB Corporate Research) Thiago B. Soeiro (TU Delft)
저널정보
전력전자학회 ICPE(ISPE)논문집 ICPE 2019-ECCE Asia
발행연도
2019.5
수록면
127 - 133 (7page)

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The current rating of SiC MOSFETs has been increased ever since its introduction. Yet, high current modules for 690-V and beyond grid applications, which would enable the realization of megawatt range converters, are not readily commercially available. Recently, a new high current 1.7-kV SiC MOSFET module suitable for hardparallel connection to increase the current rating has been introduced. This paper investigates the system-level benefit of this module for a 2-level 690-V 1-MW grid-tied converter regarding achievable efficiency and power density and benchmarks the results against the achievable performance with conventional Si IGBTs. The study analyzes in detail the impact of the number of paralleled modules, the choice of the cooling system and the filter design.

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. PARALLELING OF 1.7-KV SIC LINPAK
III. COOLING SYSTEM FOR THE LINPAK
IV. MAXIMUM ACHIEVABLE CARRIER FREQUENCY
V. SYSTEM-LEVEL PARETO OPTIMIZATION
VI. CONCLUDING REMARKS
REFERENCES

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