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본 연구에서는 근 자외선 및 가시광 영역에서 우수한 발광 강도를 가지는 적색 형광체를 얻기 위하여 고상 반응법으로 합성하여 Eu3+와 Bi3+가 도핑 된 Y2SiO5의 발광 특성을 관찰하였다. 근자외선 영역인 λex = 395 nm 기준으로 측정하였고,
5D0-7F2 의 에너지 천이에 의해 612 nm 영역에서 강한 peak가 발생하였다. CTS가 Eu3+-O2−에 의해 258 nm 영역 대에서 생성되었고, Bi3+가 함께 도핑 된 것은 Eu3+ -Bi3+-O2−에 상호작용에 의해 282 nm 영역대의 장파장 쪽으로 이동하였다.
350 nm~480 nm 영역 대에 7F0→5L9(364 nm),7F0→5G3(381 nm),7F0→5L6(395 nm),7F0→5D3(415 nm) and 7F0→5D2(466 nm)는 Bi3+와 Eu3+ f-f 천이에 의해 발생하였다. Bi3+의 도핑 농도가 증가 할수록 발광 강도가 증가함을 보이다가 0.125 mol 일 때 발광강도가 가장 우수하였고, Bi3+의 도핑 농도가 0.125 mol 이상 되면 발광 강도가 현저히 감소하는 것을 확인하였다.
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G.A. Hirata / 1997 / Physical properties of Y2O3 : Eu luminescent films grown by MOCVD and laser ablation / Appl. Surf. Sci. 113 : 509 ~
J.H. Hong / 2007 / Energy transfer from Bi 3+ sensitizing the luminescence of Eu 3+ in clusters embedded into sol-gel silica glasses / J. Non-Cryst. Solids 353 : 2431 ~
M. Wang / 1995 / Luminescence of Bi 3+ ions and energy transfer from Bi 3+ ions to Eu 3+ ions in silica glasses prepared by the sol-gel process / J. Phys. Chem. Solids 56 : 8
M. Yu / 2003 / Sol-gel synthesis and photoluminescent properties of LaPO4 : A (A : Eu 3+ , Ce 3+ , Tb 3+ ) nanocrystalline thin films / J. Mater. Chem. 13 : 1413 ~
P. Schlotter / 1997 / Luminescence conversion of blue light emitting diodes / Appl. Phys. A 46 : 417 ~
J.H. Hong / 2007 / Energy transfer from Bi 3+ sensitizing the luminescence of Eu 3+ in clusters embedded into sol-gel silica glasses / J. Non-Cryst. Solids 353 : 2431 ~
M. Wang / 1995 / Luminescence of Bi 3+ ions and energy transfer from Bi 3+ ions to Eu 3+ ions in silica glasses prepared by the sol-gel process / J. Phys. Chem. Solids 56 : 8
M. Yu / 2003 / Sol-gel synthesis and photoluminescent properties of LaPO4 : A (A : Eu 3+ , Ce 3+ , Tb 3+ ) nanocrystalline thin films / J. Mater. Chem. 13 : 1413 ~
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