The relationship between minority carrier life time and structural defects in silicon ingot grown with single seed

이아영; 김영관

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자료유형: 학술저널

저자정보: 이아영 김영관

저널정보: 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 한국결정성장학회지 제25권 제1호

발행연도: 2015.1

수록면: 13 - 19 (7page)

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Among the various possible factors affecting the Minority Carrier Life Time (MCLT) of the mc-Si crystal,dislocations formed during the cooling period after solidification were found to be a major element. It was confirmed thatother defects such as grain boundary or twin boundary were not determinative defects affecting the MCLT because most ofthese defects seemed to be formed during the solidification period. With a measurement of total thickness variation (TTV)and bow of the silicon wafers, it was found that residual stress remaining in the mc-Si crystal might be another majorfactor affecting the MCLT. Thus, it is expected that better quality of mc-Si can be grown when the cooling process rightafter solidification is carried out as slow as possible.

#Dislocation #Twin boundary #Grain boundary #Minority carrier life time #Residual stress

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B. Gao / 2010 / Crystal growth of high-purity multicrystalline silicon using a unidirectional solidification furnace for solar cells / J. Crystal Growth 312 : 1572 ~

G. Stokkan / 2010 / Relationship between dislocation density and nucleation of multicrystalline silicon / Acta Materialia 58 : 3223 ~

H. J. Su / 2012 / Preparation, microstructure and dislocation of solar-grade multicrystalline silicon by directional solidification from metallurgical-grade silicon / Trans.

H.J. Moller / 2005 / Multicrystalline silicon for solar cells / Thin Solid Films 487 : 179 ~

J.D. Zook / 1980 / Effects of grain boundaries in polycrystalline solar cells / Applied Physics Letters 37 : 223 ~

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